30V HEXFET® Power MOSFETs

Infineon 30V HEXFET® Power MOSFETs are designed for high density applications requiring small size, high efficiency and improved thermal conduction, making them ideally suited for notebook applications and point-of-load (POL) converters used in servers, as well as advanced telecom and datacom systems. These 30V HEXFET Power MOSFETs offer significant gate oxide improvement over previous generations and provide high performance as part of a system-wide solution to optimize 12VIN / 1V to 3VOUT DC-DC synchronous buck converter applications. 

Rezultatai: 34
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr. Gam. Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu. Qty. RoHS ECAD modelis Technologijos Montavimo stilius Pakuotė / Korpusas Tranzistoriaus poliškumas Kanalų skaičius Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa svar. – nuolatinio išleidimo srovė RDS On - Drain-Source Varža Vgs - užtūros-šaltinio įtampa Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa Qg – vartų krūvis Minimali darbinė temperatūra Didžiausia darbinė temperatūra Pd - skaidos galia Kanalas Mode Kvalifikacija Prekinis pavadinimas Pakavimas
Infineon Technologies MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 3.3mOhms 34nC 5 601Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 2 000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 30 V 161 A 3.2 mOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 50 nC - 55 C + 175 C 140 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 100V 90A TDSON-8 OptiMOS 3 16 231Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 5 000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 100 V 90 A 5.3 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 68 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies MOSFETs P-Ch -30V -1.5A SOT-23-3 13 517Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 30 V 1.5 A 113 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 2.3 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS Dual power MOSFET 30V 468Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 4 000

Si SMD/SMT DSO-8 N-Channel, P-Channel 2 Channel 30 V 8.1 A, 8.4 A 22 mOhms, 28 mOhms - 20 V, 20 V 2.7 V 8.9 nC, 7.2 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs MOSFT 30V 3.2A 100mOhm 6.4nC LogLvl 5 895Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 3 000

Si SMD/SMT TSOP-6 N-Channel 1 Channel 30 V 3.2 A 200 mOhms - 20 V, 20 V 1.8 V 6.4 nC - 55 C + 150 C 1.7 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 100V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3 1 065Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 5 000

Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 100 V 40 A 14 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 25 nC - 55 C + 150 C 63 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies MOSFETs MOSFT 30V 1.2A 250mOhm 3.3nC LogLvl 65 663Prieinamumas
465 050Pagal užsakymą
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 30 V 1.2 A 400 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 3.3 nC - 55 C + 150 C 540 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies MOSFETs MOSFT 30V 21A 3.3mOhm 30nC Qg
7 456Tikėtina 2026-02-16
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 4 000

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 30 V 21 A 4.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.35 V 30 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 30V 90A DPAK-2 OptiMOS 3 Vykdymo Laikas 15 Savaičių
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 30 V 90 A 2.6 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 33 nC - 55 C + 175 C 94 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel