Rezultatai: 14
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr. Gam. Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu. Qty. RoHS ECAD modelis Technologijos Montavimo stilius Pakuotė / Korpusas Tranzistoriaus poliškumas Kanalų skaičius Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa svar. – nuolatinio išleidimo srovė RDS On - Drain-Source Varža Vgs - užtūros-šaltinio įtampa Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa Qg – vartų krūvis Minimali darbinė temperatūra Didžiausia darbinė temperatūra Pd - skaidos galia Kanalas Mode Pakavimas
onsemi MOSFETs 40V T10S IN S08FL HEFET GEN 2 PACKAGE 1 163Prieinamumas
1 500Tikėtina 2026-08-28
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 500

Si SMD/SMT DFNW-5 N-Channel 1 Channel 40 V 455 A 490 uOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 127 nC - 55 C + 175 C 194 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFETs 40V T10M IN S08FL HEFET GEN 2 PACKAGE 3 000Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 414 A 520 uOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 97.5 nC - 55 C + 175 C 163 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFETs 40V T10S IN S08FL PACKAGE 1 197Prieinamumas
1 500Tikėtina 2026-07-17
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 278 A 900 uOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 70 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFETs 40V T10M IN S08FL PACKAGE 2 852Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 273 A 900 uOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 61 nC - 55 C + 175 C 121 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFETs 40V T10M IN S08FL PACKAGE 2 494Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 233 A 1.05 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 49.1 nC - 55 C + 175 C 104 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFETs T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL 4 080Prieinamumas
13 500Pagal užsakymą
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 2 040
: 1 500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 80 V 201 A 1.9 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 39 nC - 55 C + 175 C 164 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFETs 40V T10M IN S08FL PACKAGE 5 932Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 111 A 2.35 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 22.1 nC - 55 C + 175 C 53 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFETs 40V T10M IN S08FL HEFET GEN 2 PACKAGE 102Prieinamumas
6 000Pagal užsakymą
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 390
: 1 500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 509 A 420 uOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 133 nC - 55 C + 175 C 197 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFETs 40V T10S IN S08FL PACKAGE 1 111Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 349 A 700 uOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 96 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFETs 40V T10M IN S08FL PACKAGE 495Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 195 A 1.3 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 38.5 nC - 55 C + 175 C 90 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFETs T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL 147Prieinamumas
16 500Pagal užsakymą
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 80 V 181 A 2.1 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 53 nC - 55 C + 175 C 148 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFETs 40V T10M IN S08FL PACKAGE 667Prieinamumas
1 500Tikėtina 2026-07-03
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 83 A 3.1 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 15.6 nC - 55 C + 175 C 39 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFETs 40V T10M IN S08FL HEFET GEN 2 PACKAGE 86Prieinamumas
4 500Pagal užsakymą
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 380 A 570 uOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 86.4 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFETs T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL 40Prieinamumas
3 000Tikėtina 2027-03-31
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 80 V 135 A 3 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 23 nC - 55 C + 175 C 119 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel