MDmesh™ II Power MOSFETs

STMicroelectronics 600 and 650V MDmesh™ M2 series of super-junction Power MOSFETs are optimized for soft-switching applications (LLC resonant power supplies) thanks to the optimized trade-off between RDS(on), gate charge (Qg) and intrinsic capacitances (Ciss, Coss). They also are suitable for PFC applications, especially at light loads.

Diskrečiųjų puslaidininkių tipai
Pakeisti kategorijos rodinį
Rezultatai: 130
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS Gaminio tipas
Technologijos
Montavimo stilius
Pakuotė / Korpusas

STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V, 60 mOhm typ., 42 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-247 package
Duomenų Lapas
602Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 650 V, 0.79 Ohm typ., 5 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
Duomenų Lapas
Produkto pastabos
903Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET moduliai N-channel 650 V, 0.012 Ohm typ., 143 A MDmesh M5 Power MOSFET in an ISOTOP packa
Duomenų Lapas
800Pagal užsakymą
Min.: 1
Daugkart.: 1

MOSFET Modules Si Screw Mount ISOTOP
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 500 V, 0.24 Ohm typ., 13 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP packag
Duomenų Lapas
686Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V, 0.28 Ohm typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package
Duomenų Lapas
370Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 650 V, 0.275 Ohm typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP packa
Duomenų Lapas
643Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFETs N-CH 600V 0.078Ohm typ. 34A MDmesh M2
Duomenų Lapas
995Tikėtina 2026-05-15
Min.: 1
Daugkart.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3

STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V, 0.045 Ohm typ., 52 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-247 package
Duomenų Lapas
1 200Tikėtina 2026-04-13
Min.: 1
Daugkart.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V, 0.550 Ohm typ., 7.5 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-220FP p
Duomenų Lapas
879Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 500 V, 325 mOhm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP packag
Duomenų Lapas
183Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 650 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP ultra
Duomenų Lapas
936Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 600 V 0.168 Ohm 18 A MDmesh M2
Duomenų Lapas
255Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-262-3
STMicroelectronics MOSFETs N-CH 600V 0.72Ohm 5.5A MDMesh M2
Duomenų Lapas
127Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-251-3

STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V, 60 mOhm typ., 42 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-247 long lead
Duomenų Lapas
83Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V, 0.395 Ohm typ., 9 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package
Duomenų Lapas
Vykdymo Laikas 14 Savaičių
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 2 500

MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 650 V, 0.79 Ohm typ., 5 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package
Duomenų Lapas
Produkto pastabos
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 14 Savaičių
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 2 500

MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 650 V, 0.124 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 14 Savaičių
Min.: 3 000
Daugkart.: 3 000
Reel: 3 000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-8x8-5
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 650 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220 package
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 14 Savaičių
Min.: 1 000
Daugkart.: 1 000

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 650 V, 0.087 Ohm typ., 32 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 14 Savaičių
Min.: 1 000
Daugkart.: 1 000

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3

STMicroelectronics MOSFETs N-channel 650 V, 0.049 Ohm typ., 49 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-247 package
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 16 Savaičių
Min.: 1
Daugkart.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 650 V, 0.049 Ohm typ., 49 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO247-4 packag
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 16 Savaičių
Min.: 600
Daugkart.: 600

MOSFETs Si Through Hole TO-247-4
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V, 0.076 Ohm typ., 34 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-220FP pa
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 14 Savaičių
Min.: 1 000
Daugkart.: 1 000

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 650 V, 0.275 Ohm typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 14 Savaičių
Min.: 1 000
Daugkart.: 1 000

MOSFETs Si Through Hole TO-262-3
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V, 0.108 Ohm typ., 26 A MDmesh M2 Power MOSFETs in I2PAK package
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 14 Savaičių
Min.: 1 000
Daugkart.: 1 000
MOSFETs Si Through Hole TO-262-3
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 650 V, 0.117 Ohm typ., 24 A MDmesh M2 Power MOSFET in I2PAK package
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 14 Savaičių
Min.: 1 000
Daugkart.: 1 000

MOSFETs Si Through Hole TO-262-3