QPD GaN RF Transistors

Qorvo QPD GaN RF Transistors can be used in Doherty architecture for the final stage of a base station power amplifier for macrocell high-efficiency systems. These GaN transistors are discrete GaN on SiC HEMTs with a single-stage matched power amplifier transistor. Typical applications include W-CDMA/LTE, Macrocell base station, active antenna and general purpose applications.

Rezultatai: 34
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr. Gam. Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu. Qty. RoHS ECAD modelis Montavimo stilius Pakuotė / Korpusas Tranzistoriaus poliškumas Kanalų skaičius Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa svar. – nuolatinio išleidimo srovė Vgs - užtūros-šaltinio įtampa Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa Minimali darbinė temperatūra Didžiausia darbinė temperatūra Pd - skaidos galia
Qorvo GaN FET DC-3.5GHz GaN 2X 120W 36Volt

NI-650 N-Channel
Qorvo GaN FET DC-6.0GHz 18 Watt 28V GaN 123Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

NI-200
Qorvo GaN FET 0.03-4.0 GHz, 30W, 32V GaN RF Tr 29Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SMD/SMT QFN-20 32 V 1.8 A
Qorvo GaN FET 8-12GHz 25W GaN PAE 50% Gain 11dB

SMD/SMT QFN-20 N-Channel 1 Channel 32 V 1.8 A + 225 C 49 W
Qorvo GaN FET DC-18GHZ 12W TQGaN25 PAE 73.3% Gain 21dB 100Prieinamumas
Min.: 100
Daugkart.: 100

Die N-Channel
Qorvo GaN FET 4-6GHz 5W 32Volt P3dB 38.4 dBm GaN 40Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SMD/SMT QFN-16 32 V 250 mA - 40 C + 85 C
Qorvo GaN FET DC-3.7GHz 65W 50V SSG 20dB GaN 4Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SMD/SMT NI-360 N-Channel 50 V 2.5 A - 2.8 V - 40 C + 85 C 64 W
Qorvo GaN FET DC-6.0GHz 30 Watt 28V GaN Flangeless 15Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

NI-200
Qorvo GaN FET DC-12GHz 27W 32V GaN P3dB @ 3GHz 44.5dBm

SMD/SMT Die N-Channel 32 V 1.7 A - 65 C + 150 C 34.5 W
Qorvo GaN FET DC-3.7GHz 65W 50V SSG 20dB GaN 67Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Screw Mount NI-360 N-Channel 50 V 2.5 A - 2.8 V - 40 C + 85 C 64 W
Qorvo GaN FET DC-6GHz 28V P3dB 10W @3.3GHz 255Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SMD/SMT NI-200 N-Channel 650 mA 12.5 W
Qorvo GaN FET DC-3.5GHz 100W 28V GaN 63Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Screw Mount NI-360 N-Channel 28 V 12 A - 7 V, + 2 V - 2.9 V - 40 C + 85 C 144 W
Qorvo GaN FET 30MHZ-3GHz 5W 50 Ohm Gain 18dB@2GHz 32V 645Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SMD/SMT QFN-16 P-Channel 32 V 600 mA 7.5 W
Qorvo GaN FET 8-12GHz 5W GaN PAE 50% Gain 13dB 1 318Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SMD/SMT QFN-16 N-Channel 1 Channel 32 V 326 mA + 225 C 8.4 W
Qorvo GaN FET .03-3GHz Gain 17dB P3dB 9.3W@2.4GHz GaN 353Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 100

SMD/SMT QFN-EP-16 N-Channel 32 V 557 mA 15.3 W
Qorvo GaN FET DC-3.2GHz 120W 50V SSG 17.5dB GaN 5Prieinamumas
50Tikėtina 2026-09-29
Min.: 1
Daugkart.: 1

Screw Mount NI-360 N-Channel 50 V 4 A - 2.8 V - 40 C + 85 C 127 W
Qorvo GaN FET DC-4GHz 15W 28-50V SSG 24dB PAE 72% GaN 44Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SMD/SMT QFN-16 N-Channel 50 V 700 mA - 2.8 V - 40 C + 85 C 17.5 W
Qorvo GaN FET DC-6.0GHz 30 Watt 28V GaN Flanged 43Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

NI-200
Qorvo GaN FET DC-4GHz 45W GaN 48V
367Pagal užsakymą
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 250

SMD/SMT QFN-20 48 V - 40 C 45 W
Qorvo GaN FET DC-3.6GHz GaN 90W 48V
132Pagal užsakymą
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 100

SMD/SMT DFN-6 48 V - 40 C
Qorvo GaN FET DC-3.2GHz 120W 50V SSG 17.5dB GaN
19Tikėtina 2026-09-29
Min.: 1
Daugkart.: 1

SMD/SMT NI-360 N-Channel 50 V 4 A - 2.8 V - 40 C + 85 C 127 W
Qorvo GaN FET DC-4GHz 10W 28-50V SSG 25dB PAE 70% GaN
57Pagal užsakymą
Min.: 1
Daugkart.: 1

SMD/SMT QFN-16 N-Channel 50 V 400 mA - 2.8 V - 40 C + 85 C 13.5 W
Qorvo GaN FET DC-18GHZ 50W TQGaN25 PAE 69.5% Gain 19dB

Die N-Channel
Qorvo GaN FET 1.2-1.4GHz 500W 50V SSG 20dB GaN Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 24 Savaičių
Min.: 18
Daugkart.: 18

SMD/SMT RF-565 N-Channel 50 V 15 A - 2.8 V - 40 C + 85 C 370 W
Qorvo GaN FET DC-2.7GHz 150W PAE 64.8% Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 24 Savaičių
Min.: 100
Daugkart.: 100
: 100

SMD/SMT DFN-6 N-Channel 1.7 A - 40 C + 85 C 67 W