QPD GaN RF Transistors

Qorvo QPD GaN RF Transistors can be used in Doherty architecture for the final stage of a base station power amplifier for macrocell high-efficiency systems. These GaN transistors are discrete GaN on SiC HEMTs with a single-stage matched power amplifier transistor. Typical applications include W-CDMA/LTE, Macrocell base station, active antenna and general purpose applications.

Rezultatai: 41
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Montavimo stilius
Pakuotė / Korpusas
Tranzistoriaus poliškumas
Kanalų skaičius
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa
svar. – nuolatinio išleidimo srovė
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa
Minimali darbinė temperatūra
Didžiausia darbinė temperatūra
Pd - skaidos galia
Qorvo GaN FET DC-6.0GHz 18 Watt 28V GaN
Duomenų Lapas
129Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

NI-200
Qorvo GaN FET DC-6GHz 28V P3dB 10W @3.3GHz
Duomenų Lapas
375Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SMD/SMT NI-200 N-Channel 650 mA 12.5 W
Qorvo GaN FET DC-3.7GHz 65W 50V SSG 20dB GaN
Duomenų Lapas
25Prieinamumas
25Pagal užsakymą
Min.: 1
Daugkart.: 1

SMD/SMT NI-360 N-Channel 50 V 2.5 A - 2.8 V - 40 C + 85 C 64 W
Qorvo GaN FET DC-3.5GHz GaN 2X 120W 36Volt
Duomenų Lapas
9Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

NI-650 N-Channel
Qorvo GaN FET DC-4GHz 10W 28-50V SSG 25dB PAE 70% GaN
Duomenų Lapas
61Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SMD/SMT QFN-16 N-Channel 50 V 400 mA - 2.8 V - 40 C + 85 C 13.5 W
Qorvo GaN FET DC-6.0GHz 30 Watt 28V GaN Flanged
Duomenų Lapas
53Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

NI-200
Qorvo GaN FET DC-3.6GHz GaN 90W 48V
Duomenų Lapas
54Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 100

SMD/SMT DFN-6 48 V - 40 C
Qorvo GaN FET 1.2-1.4GHz 500W 50V SSG 20dB GaN
Duomenų Lapas
16Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SMD/SMT RF-565 N-Channel 50 V 15 A - 2.8 V - 40 C + 85 C 370 W
Qorvo GaN FET DC-6.0GHz 30 Watt 28V GaN Flangeless
Duomenų Lapas
16Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

NI-200
Qorvo GaN FET DC-3.5GHz 100W 28V GaN
Duomenų Lapas
33Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Screw Mount NI-360 N-Channel 28 V 12 A - 7 V, + 2 V - 2.9 V - 40 C + 85 C 144 W
Qorvo GaN FET DC-4GHz 15W 28-50V SSG 24dB PAE 72% GaN
Duomenų Lapas
244Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SMD/SMT QFN-16 N-Channel 50 V 700 mA - 2.8 V - 40 C + 85 C 17.5 W
Qorvo GaN FET DC-4GHz 45W GaN 48V
Duomenų Lapas
68Prieinamumas
250Tikėtina 2026-04-08
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 250

SMD/SMT QFN-20 48 V - 40 C 45 W
Qorvo GaN FET DC-3.2GHz 120W 50V SSG 17.5dB GaN
Duomenų Lapas
25Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SMD/SMT NI-360 N-Channel 50 V 4 A - 2.8 V - 40 C + 85 C 127 W
Qorvo GaN FET DC-3.7GHz 65W 50V SSG 20dB GaN
Duomenų Lapas
25Prieinamumas
25Tikėtina 2026-03-09
Min.: 1
Daugkart.: 1

Screw Mount NI-360 N-Channel 50 V 2.5 A - 2.8 V - 40 C + 85 C 64 W
Qorvo GaN FET 30MHZ-3GHz 5W 50 Ohm Gain 18dB@2GHz 32V
Duomenų Lapas
100Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SMD/SMT QFN-16 P-Channel 32 V 600 mA 7.5 W
Qorvo GaN FET .03-3GHz Gain 17dB P3dB 9.3W@2.4GHz GaN
Duomenų Lapas
141Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SMD/SMT QFN-EP-16 N-Channel 32 V 557 mA 15.3 W
Qorvo GaN FET 0.03-4.0 GHz, 30W, 32V GaN RF Tr
Duomenų Lapas
29Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SMD/SMT QFN-20 32 V 1.8 A
Qorvo GaN FET 8-12GHz 5W GaN PAE 50% Gain 13dB
Duomenų Lapas
5Prieinamumas
700Pagal užsakymą
Min.: 1
Daugkart.: 1

SMD/SMT QFN-16 N-Channel 1 Channel 32 V 326 mA + 225 C 8.4 W
Qorvo GaN FET DC-3.2GHz 120W 50V SSG 17.5dB GaN
Duomenų Lapas
45Tikėtina 2026-03-24
Min.: 1
Daugkart.: 1

Screw Mount NI-360 N-Channel 50 V 4 A - 2.8 V - 40 C + 85 C 127 W
Qorvo GaN FET DC-2.7GHz 150W PAE 64.8%
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 20 Savaičių
Min.: 100
Daugkart.: 100
Reel: 100

SMD/SMT DFN-6 N-Channel 1.7 A - 40 C + 85 C 67 W
Qorvo GaN FET 2.62-2.69GHz GaN 200W 48V
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 25
Daugkart.: 25

SMD/SMT NI400-2 N-Channel - 40 C
Qorvo GaN FET DC-2GHz P3dB 260W Gain 18dB@1.2GHz GaN
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 25
Daugkart.: 25

SMD/SMT NI-780 N-Channel 36 V 24 A + 275 C 288 W
Qorvo GaN FET DC-2GHz P3dB 260W Gain 18dB@1.2GHz GaN
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 25
Daugkart.: 25

SMD/SMT NI-780 N-Channel 36 V 24 A + 250 C 288 W
Qorvo GaN FET DC-3.5GHz 36Volt GaN 120 Watt Peak
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 25
Daugkart.: 25

SMD/SMT NI-360 N-Channel 36 V 12 A 117 W
Qorvo GaN FET DC-3.5GHz 36Volt GaN 120 Watt Peak
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 25
Daugkart.: 25

SMD/SMT N-Channel 36 V 12 A 117 W