Rezultatai: 18
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Technologijos
Montavimo stilius
Pakuotė / Korpusas
Tranzistoriaus poliškumas
Kanalų skaičius
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa
svar. – nuolatinio išleidimo srovė
RDS On - Drain-Source Varža
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa
Qg – vartų krūvis
Minimali darbinė temperatūra
Didžiausia darbinė temperatūra
Pd - skaidos galia
Kanalas Mode
Prekinis pavadinimas
Pakavimas
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >100-150V
Duomenų Lapas
114Prieinamumas
5 000Tikėtina 2026-07-16
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT SuperSO-8 N-Channel 1 Channel 120 V 62 A 11 mOhms - 20 V, 20 V 3.1 V 15.4 nC - 55 C + 175 C 94 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >100-150V
Duomenų Lapas
6 272Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 120 V 331 A 1.7 mOhms - 20 V, 20 V 2.6 V 113 nC - 55 C + 175 C 395 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >100-150V
Duomenų Lapas
14 720Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT TDSON-8FL N-Channel 1 Channel 120 V 163 A 3.7 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 46 nC - 55 C + 175 C 214 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >100-150V
Duomenų Lapas
1 676Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 120 V 203 A 2.6 mOhms - 20 V, 20 V 3.1 V 113 nC - 55 C + 175 C 395 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >100-150V
Duomenų Lapas
2 744Prieinamumas
3 600Tikėtina 2026-12-03
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 800

Si SMD/SMT HDSOP-16 N-Channel 1 Channel 120 V 331 A 1.7 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 113 nC - 55 C + 175 C 395 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >100-150V
Duomenų Lapas
1 384Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 800

Si SMD/SMT HDSOP-16 N-Channel 1 Channel 120 V 222 A 2.6 mOhms - 20 V, 20 V 3.1 V 70 nC - 55 C + 175 C 278 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >100-150V
Duomenų Lapas
691Prieinamumas
1 800Tikėtina 2026-05-14
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 800

Si SMD/SMT HSOG-8 N-Channel 1 Channel 120 V 331 A 1.7 mOhms - 20 V, 20 V 3.1 V 113 nC - 55 C + 175 C 395 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >100-150V
Duomenų Lapas
984Prieinamumas
5 000Tikėtina 2026-08-27
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT TSON-8 N-Channel 1 Channel 120 V 194 A 3.7 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 59 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >100-150V
Duomenų Lapas
4 391Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 120 V 170 A 9 mOhms - 20 V, 20 V 1.7 V 33 nC - 55 C + 175 C 211 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >100-150V
Duomenų Lapas
8 442Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 120 V 86 A 7.3 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 14.4 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >100-150V
Duomenų Lapas
6 749Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT SuperSO-8 N-Channel 1 Channel 120 V 85 A 7.8 mOhms - 20 V, 20 V 3.1 V 21 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >100-150V
Duomenų Lapas
11 702Prieinamumas
10 000Tikėtina 2026-05-04
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 120 V 63 A 10.4 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 10.4 nC - 55 C + 175 C 94 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >100-150V
Duomenų Lapas
18Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 120 V 62 A 10.6 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 10.4 nC - 55 C + 175 C 94 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >100-150V
Duomenų Lapas
402Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 000

Si SMD/SMT D2PAK-3 N-Channel 1 Channel 120 V 167 A 2.5 mOhms - 20 V, 20 V 3.1 V 113 nC - 55 C + 175 C 395 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >100-150V
Duomenų Lapas
415Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 120 V 24 A 15.1 mOhms - 20 V, 20 V 3.7 V 31 nC - 55 C + 175 C 43 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >100-150V
Duomenų Lapas
4 995Tikėtina 2026-12-24
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 120 V 24 A 33 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 3.6 nC - 55 C + 175 C 43 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies IPB035N12NM6ATMA1
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >100-150V
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 17 Savaičių
Min.: 1 000
Daugkart.: 1 000
: 1 000

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 120 V 138 A 3.5 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 58 nC - 55 C + 175 C 246 W Enhancement Reel
Infineon Technologies IPB133N12NM6ATMA1
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >100-150V Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 17 Savaičių
Min.: 1 000
Daugkart.: 1 000
: 1 000

Si Reel