TK065Z65Z,S1F
Žr. produkto specifikacijas
Gam.:
Aprašymas:
MOSFETs PWR MOSFET TRANSISTR PD=270W F=1MHz
Prieinamumas: 34
-
Turime sandėlyje:
-
34 Galime išsiųsti iš kartoĮvyko netikėta klaida. Prašome pabandyti vėliau.
-
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
-
8 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.
Kainodara (EUR)
| Qty. | Vieneto kaina |
Plėt. Kaina
|
|---|---|---|
| 8,36 € | 8,36 € | |
| 5,66 € | 56,60 € | |
| 4,13 € | 413,00 € | |
| 3,90 € | 1 950,00 € |
Duomenų Lapas
Application Notes
- Impacts of the dv/dt Rate on MOSFETs
- Impacts of the dv/dt Rate on MOSFETs
- MOSFET Avalanche Ruggedness
- MOSFET Avalanche Ruggedness
- MOSFET Gate Driver Circuit
- MOSFET Gate Driver Circuit
- MOSFET Parallening (Parasitic Oscillation Between Parallel Power MOSFETs)
- MOSFET Parallening (Parasitic Oscillation Between Parallel Power MOSFETs)
- Parasitic Oscillation and Ringing of Power MOSFETs
- Parasitic Oscillation and Ringing of Power MOSFETs
- Power MOSFET Electrical Characteristics
- Power MOSFET Electrical Characteristics
- Power MOSFET Maximum Ratings
- Power MOSFET Maximum Ratings
- Power MOSFET Selecting MOSFETs and Consideration for Circuit Design
- Power MOSFET Selecting MOSFETs and Consideration for Circuit Design
- Power MOSFET Structure and Characteristics
- Power MOSFET Structure and Characteristics
- Power MOSFET Thermal Design and Attachment of a Thermal Fin
- Power MOSFET Thermal Design and Attachment of a Thermal Fin
Models
Product Catalogs
Test/Quality Data
- TARIC:
- 8541290000
- CNHTS:
- 8541290000
- USHTS:
- 8541290065
- ECCN:
- EAR99
- Kilmės šalis:
- Japonija
- Šalis, kurioje pagaminta:
- Ne
- Distribucijos šalis:
- Ne
Lietuva
