CoolGaN™ G3 Transistors

Infineon Technologies CoolGaN™ G3 Transistors are designed to deliver superior performance in high-power density applications. These transistors feature a very low on-state resistance, enabling efficient power conversion and reduced energy losses. Available in four voltage options (60V, 80V, 100V, or 120V), the Infineon CoolGaN G3 Transistors deliver ultra-fast switching with an ultra-low gate/output charge. The transistors are housed in compact PQFN packages, which enhance thermal management and support dual-side cooling, ensuring reliable operation even under demanding conditions. These features make CoolGaN G3 Transistors a top choice for applications such as telecom, data center power supplies, and industrial power systems.

Rezultatai: 8
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Montavimo stilius
Pakuotė / Korpusas
Tranzistoriaus poliškumas
Kanalų skaičius
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa
svar. – nuolatinio išleidimo srovė
RDS On - Drain-Source Varža
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa
Qg – vartų krūvis
Minimali darbinė temperatūra
Didžiausia darbinė temperatūra
Pd - skaidos galia
Kanalas Mode
Prekinis pavadinimas
Infineon Technologies GaN FET CoolGaN Transistor 80 V G3 in PQFN 3x5, 1.8 mohm
Duomenų Lapas
8 924Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 5 000

SMD/SMT 1 Channel 80 V 86 A 2.5 mOhms 6.5 V 2.9 V 12 nC - 40 C + 150 C 45 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies GaN FET CoolGaN Transistor 60 V G3 in PQFN 3x5, 1.3 mohm
Duomenų Lapas
2 978Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 5 000

SMD/SMT 1 Channel 60 V 99 A 1.9 mOhms 6.5 V 2.9 V 13 nC - 40 C + 150 C 45 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies GaN FET MV GAN DISCRETES
Duomenų Lapas
3 188Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 5 000

SMD/SMT PG-VSON-6 HEMT 1 Channel 100 V 76 A 3.3 mOhms - 4 V, + 5.5 V 2.9 V 11 nC - 40 C + 150 C 45 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies GaN FET MV GAN DISCRETES
Duomenų Lapas
2 820Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 5 000

SMD/SMT PG-TSON-6 HEMT 1 Channel 100 V 76 A 3.3 mOhms - 4 V, + 5.5 V 2.9 V 11 nC - 40 C + 150 C 45 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies GaN FET CoolGaN Transistor 120 V G3 in PQFN 3x5, 2.7 mohm
Duomenų Lapas
3 054Prieinamumas
10 000Tikėtina 2026-07-30
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 5 000

SMD/SMT 1 Channel 120 V 71 A 3.7 mOhms 6.5 V 2.9 V 13 nC - 40 C + 150 C 45 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies GaN FET MV GAN DISCRETES
Duomenų Lapas
1 690Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 5 000

SMD/SMT PG-VSON-4 HEMT 1 Channel 100 V 23 A - 4 V, + 5.5 V 2.9 V 3.4 nC - 40 C + 150 C 15 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies GaN FET CoolGaN Transistor 100 V G3 in PQFN 3x3, 9.4 mohm
Duomenų Lapas
1 181Prieinamumas
5 000Tikėtina 2026-07-23
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 5 000

SMD/SMT 1 Channel 100 V 23 A 11 mOhms 6.5 V 2.9 V 3.4 nC - 40 C + 150 C 15 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies GaN FET CoolGaN Transistor 100 V G3 in PQFN 3x3, 5 mohm
Duomenų Lapas
6Prieinamumas
5 000Tikėtina 2026-11-11
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 5 000

SMD/SMT 1 Channel 100 V 38 A 7 mOhms 6.5 V 2.9 V 6.1 nC - 40 C + 150 C 23 W Enhancement CoolGaN