Atrodo, kad jūsų naršyklėje išjungtas "JavaScript". Kai kurios šio puslapio funkcijos neveiks, jei neprisijungsite.

Grįžti į Paieškos Rezultatus

Matote Klaidą?

IXFH34N65X2W

Name: IXYS IXFH34N65X2W
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFH34N65X2W
Price: 7.45 EUR
Availability: InStock

Vaizdai skirti tik iliustracijai
Žr. produkto specifikacijas

Mouser #:

747-IXFH34N65X2W

Mfr. #:

IXFH34N65X2W

Gam.:

IXYS

Aprašymas:

MOSFETs 650V 100mohm 34A X2-Class HiPerFET in TO-247

Eksploatacijos Laikotarpis:

Naujas Produktas:

Naujiena iš šio gamintojo.

Duomenų Lapas:

IXFH34N65X2W Duomenų Lapas (PDF)

ECAD modelis:

Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Daugiau informacijos

Sužinokite daugiau apie IXYS IXFH34N65X2W

Prieinamumas: 584

Turime sandėlyje:: 584 Galime išsiųsti iš karto

Įvyko netikėta klaida. Prašome pabandyti vėliau.
Gamintojo numatytas pristatymo laikas: 29 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.

Įvesti kiekį:

Min. 1 Užsakoma po 1

Vieneto kaina:

-,-- €

Plėt. Kaina:

-,-- €

Numatomas Įkainis:

Kainodara (EUR)

Qty.	Vieneto kaina	Plėt. Kaina
	7,45 €	7,45 €
	5,42 €	54,20 €
	4,51 €	541,20 €
	4,02 €	2 050,20 €
	3,58 €	3 651,60 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produkto Požymis	Atributo vertė	Pasirinkite Požymį
Gamintojas:	IXYS
Gaminio kategorija:	MOSFETs
RoHS:
Technologijos:	Si
Montavimo stilius:	Through Hole
Pakuotė / Korpusas:	TO-247-3
Tranzistoriaus poliškumas:	N-Channel
Kanalų skaičius:	1 Channel
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa:	650 V
svar. – nuolatinio išleidimo srovė:	34 A
RDS On - Drain-Source Varža:	100 mOhms
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa:	30 V
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa:	5 V
Qg – vartų krūvis:	64 nC
Minimali darbinė temperatūra:	- 55 C
Didžiausia darbinė temperatūra:	+ 150 C
Pd - skaidos galia:	540 W
Kanalas Mode:	Enhancement
Prekinis pavadinimas:	HiPerFET
Pakavimas:	Tube
Prekės Ženklas:	IXYS
Configuration:	Single
Rudens laikas:	31 ns
Tiesioginis laidumas - min:	18 S
Gaminio tipas:	MOSFETs
Kilimo Laikas:	52 ns
Gamyklinės pakuotės kiekis:	30
Subkategorija:	Transistors
Tipinė išjungimo vėlinimo trukmė:	66 ns
Tipinė įjungimo vėlinimo trukmė:	38 ns
Tranzistoriaus tipas:	1 N-Channel

Rasta produktų:

Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį

Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.

Pasirinkti atributai: 0

Filtruoti dokumentą:

Duomenų Lapas

IXFH34N65X2W Duomenų Lapas (PDF)

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Electrical Vehicle DC Fast Chargers

DC charging stations are designed to convert the electrical grid’s AC power into DC power that can then be fed directly into a vehicle’s battery system for fast charging – in 30 minutes or less. Because the conversion from AC to DC power is being done in the charging station, these units can provide higher levels of power (50kW to 350kW and beyond) to the vehicle compared to AC charging stations. Working with tens to hundreds of kilowatts of power, efficient conversion, reliability of the system, and user safety are critical.

HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS HiPerFET™ Power MOSFETs are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These high current HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types.

IXFH34N65X2W Maitinimo MOSFET

IXYS IXFH34N65X2W Power MOSFET is a 650V, 100mΩ, X2 Class HiPerFET™ power MOSFET developed using the charge compensation principle and proprietary process technology. This N-channel power MOSFET exhibits low on-state resistance and low gate charges, along with superior dv/dt performance. The IXFH34N65X2W MOSFET features high power density, and the avalanche capability enhances the device's ruggedness. In addition to the fast soft-recovery body diode, the ultra-junction MOSFET helps to reduce switching losses and Electro-Magnetic Interference (EMI). The IXFH34N65X2W MOSFET is used in switch-mode and resonant-mode power supplies, DC-DC converters, PFC circuits, AC and DC motor drives, robotics, and servo control applications.