SCT4062KWAHRTL

ROHM Semiconductor
755-SCT4062KWAHRTL
SCT4062KWAHRTL

Gam.:

Aprašymas:
SiC MOSFET TO263 1.2KV 24A N-CH SIC

Duomenų Lapas:
ECAD modelis:
Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.
Daugiau informacijos
Sužinokite daugiau apie ROHM Semiconductor SCT4062KWAHRTL

Prieinamumas: 1 488

Turime sandėlyje:
1 488 Galime išsiųsti iš karto
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
27 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.
Min. 1   Užsakoma po 1
Vieneto kaina:
-,-- €
Plėt. Kaina:
-,-- €
Numatomas Įkainis:
Pakuotė:
Visa Ritė (Užsakoma po 1000)

Kainodara (EUR)

Qty. Vieneto kaina
Plėt. Kaina
Nukerpama juosta / „MouseReel™“ †
9,76 € 9,76 €
6,92 € 69,20 €
5,88 € 588,00 €
Visa Ritė (Užsakoma po 1000)
5,60 € 5 600,00 €
5,49 € 10 980,00 €
† 5,00 € „MouseReel™“ mokestis bus pridėtas ir apskaičiuotas jūsų pirkinių krepšelyje. Visi „MouseReel™“ užsakymai neatšaukiami ir negrąžinami. ↩

Produkto Požymis Atributo vertė Pasirinkite Požymį
ROHM Semiconductor
Gaminio kategorija: SiC MOSFET
RoHS:  
SMD/SMT
TO-263-7LA
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
24 A
81 mOhms
- 4 V, + 21 V
4.8 V
64 nC
+ 175 C
93 W
Enhancement
Prekės Ženklas: ROHM Semiconductor
Configuration: Single
Gamybos šalis: Not Available
Distribucijos šalis: Not Available
Kilmės šalis: TH
Rudens laikas: 10 ns
Tiesioginis laidumas - min: 6.5 S
Pakavimas: Reel
Pakavimas: Cut Tape
Pakavimas: MouseReel
Gaminys: MOSFET's
Gaminio tipas: SiC MOSFETS
Kilimo Laikas: 11 ns
Gamyklinės pakuotės kiekis: 1000
Subkategorija: Transistors
Technologijos: SiC
Tipinė išjungimo vėlinimo trukmė: 22 ns
Tipinė įjungimo vėlinimo trukmė: 4.4 ns
Tranzistoriaus tipas: 1 N-Channel
Rasta produktų:
Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį
Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.
Pasirinkti atributai: 0

Duomenų Lapas

Specification Sheets

Kad ši funkcija veiktų, reikia įjungti „JavaScript“.

TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

SCT4062KWAHR AEC-Q101 N-Channel SiC Power MOSFET

ROHM Semiconductor SCT4062KWAHR AEC-Q101 N-Channel Silicon Carbide (SiC) Power MOSFET is a high-performance, automotive-grade device for use in demanding automotive environments. The ROHM SCT4062KWAHR features a high drain-source voltage rating of 1200V and a continuous drain current of 24A (at +25°C), making the MOSFET well-suited for high-voltage, high-efficiency power conversion systems. With a typical on-resistance of 62mΩ, the SCT4062KWAHR minimizes conduction losses and supports fast switching, which contributes to reduced power loss and improved thermal performance. Packaged in a TO-263-7LA format, the device offers excellent heat dissipation and ease of integration into compact power modules. SCT4062KWAHR is ideal for electric vehicle (EV) applications such as traction inverters, onboard chargers, and DC-DC converters, where reliability, efficiency, and thermal stability are critical.

AEC-Q101 SiC Power MOSFETs

ROHM Semiconductor AEC-Q101 SiC Power MOSFETs are ideal for automotive and switch-mode power supplies. The SiC Power MOSFETs can boost switching frequency, decreasing the volumes of capacitors, reactors, and other components required. AEC-Q101 SiC Power MOSFETs offer excellent reductions in size and weight within various drive systems, such as inverters and DC-DC converters in vehicles. Vehicle batteries are trending towards larger capacities with shorter charging times. This demands high power and efficiency on board chargers such as 11kW and 22kW. This leads to increased adoption of SiC MOSFETs. The AEC-Q101 SiC Power MOSFETs meet the needs of electronic vehicles and utilize a trench gate structure. The future design of ROHM's SiC MOSFETs endeavors to improve quality, strengthen its lineup to increase device performance, reduce power consumption, and achieve greater miniaturization.

4th Generation N-Channel SiC Power MOSFETs

ROHM Semiconductor 4th Generation N-Channel Silicon-Carbide (SiC) Power MOSFETs provide low on-resistances with improvements in the short-circuit withstand time. The 4th Generation SiC MOSFETs are easy to parallel and simple to drive. The MOSFETs feature fast switching speeds/reverse recovery, low switching losses, and a +175°C maximum operating temperature. The ROHM 4th Generation N-Channel SSiC Power MOSFETs support a 15V gate-source voltage that contributes to device power savings.

Įvyko netikėta klaida.


Turite klausimų? Apsilankykite pagalbos centre.
Jei turite klausimų apie konkretų užsakymą, prisijunkite prie savo paskyros.

Jei susidūrėte su papildomomis problemomis, susisiekite su mumis tel. Nr. 800-346-6873 arba el. paštu help@mouser.com.