Atrodo, kad jūsų naršyklėje išjungtas "JavaScript". Kai kurios šio puslapio funkcijos neveiks, jei neprisijungsite.

TC6215TG-G

Name: Microchip TC6215TG-G
Brand: Microchip Technology
SKU: 689-TC6215TG-G
Price: 1.59 EUR
Availability: InStock

Vaizdai skirti tik iliustracijai
Žr. produkto specifikacijas

Mouser #:

689-TC6215TG-G

Mfr. #:

TC6215TG-G

Gam.:

Microchip Technology

Aprašymas:

MOSFETs N & P Channel Enhanc ement Dual MOSFET

Peržiūrėti Kūrimo Įrankių Pasirinkimo Programoje

Duomenų Lapas:

TC6215TG-G Duomenų Lapas (PDF)

ECAD modelis:

Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Prieinamumas: 2 112

Turime sandėlyje:: 2 112 Galime išsiųsti iš karto

Įvyko netikėta klaida. Prašome pabandyti vėliau.
Gamintojo numatytas pristatymo laikas: 4 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.

Įvesti kiekį:

Min. 1 Užsakoma po 1

Vieneto kaina:

-,-- €

Plėt. Kaina:

-,-- €

Numatomas Įkainis:

Pakuotė:

Visa Ritė (Užsakoma po 3300)

Pjaunama Juosta

"MouseReel"™ (+5,00 €)

Kainodara (EUR)

Qty.	Vieneto kaina	Plėt. Kaina
Nukerpama juosta / „MouseReel™“ ^†
	1,59 €	1,59 €
	1,33 €	33,25 €
	1,22 €	1 220,00 €
Visa Ritė (Užsakoma po 3300)
	1,19 €	3 927,00 €
	1,18 €	11 682,00 €

† 5,00 € „MouseReel™“ mokestis bus pridėtas ir apskaičiuotas jūsų pirkinių krepšelyje. Visi „MouseReel™“ užsakymai neatšaukiami ir negrąžinami. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produkto Požymis	Atributo vertė	Pasirinkite Požymį
Gamintojas:	Microchip
Gaminio kategorija:	MOSFETs
RoHS:
Technologijos:	Si
Montavimo stilius:	SMD/SMT
Pakuotė / Korpusas:	SOIC-8
Tranzistoriaus poliškumas:	N-Channel, P-Channel
Kanalų skaičius:	2 Channel
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa:	150 V
svar. – nuolatinio išleidimo srovė:	1.5 A, 3.8 A
RDS On - Drain-Source Varža:	4 Ohms, 7 Ohms
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa:	- 20 V, 20 V
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa:	2 V
Minimali darbinė temperatūra:	- 55 C
Didžiausia darbinė temperatūra:	+ 150 C
Kanalas Mode:	Enhancement
Pakavimas:	Reel
Pakavimas:	Cut Tape
Pakavimas:	MouseReel
Prekės Ženklas:	Microchip Technology
Configuration:	Dual
Rudens laikas:	11.3 ns, 11.1 ns
Jautrus drėgmei:	Yes
Gaminio tipas:	MOSFETs
Kilimo Laikas:	2.3 ns, 2.3 ns
Serija:	TC6215
Gamyklinės pakuotės kiekis:	3300
Subkategorija:	Transistors
Tipinė išjungimo vėlinimo trukmė:	17.2 ns, 16.2 ns
Tipinė įjungimo vėlinimo trukmė:	2.5 ns, 2.4 ns
Tranzistoriaus tipas:	1 N-Channel, 1 P-Channel
Vieneto Svoris:	74 mg

Rasta produktų:

Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį

Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.

Pasirinkti atributai: 0

Filtruoti dokumentą:

Duomenų Lapas

TC6215TG-G Duomenų Lapas (PDF)

DTS

Peržiūrėti Kūrimo Įrankių Pasirinkimo Programoje

PCN

Kad ši funkcija veiktų, reikia įjungti „JavaScript“.

Reglamentavimo kodai

TARIC:: 8541210000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 8541210101
KRHTS:: 8541219000
MXHTS:: 85412101
ECCN:: EAR99

Klasifikacija pagal kilmę

Kilmės šalis:: Tailandas
Šalis, kurioje pagaminta:: Ne
Distribucijos šalis:: Ne

Šalis gali keistis siuntimo metu.

TC6215 N- and P-Channel MOSFETs

The Microchip TC6215 N-channel and P-channel enhancement mode dual MOSFET combines an advanced vertical DMOS structure and a high-quality gate manufacturing process to provide both the power handling capabilities of bipolar transistors and the high input impedance and positive temperature coefficient inherent in MOS devices. The Microchip TC6215 consists of high voltage, low threshold N-channel and P-channel MOSFETs in an 8-lead SOIC (TG) package. Both MOSFETs included in the TC6215 have integrated back to back gate-source Zener diode clamps and guaranteed Rds(on) ratings down to 4.0V gate drive, allowing them to be driven directly with standard 5.0V CMOS logic. These Microchip devices are free from thermal runaway and thermally-induced secondary breakdown.