Atrodo, kad jūsų naršyklėje išjungtas "JavaScript". Kai kurios šio puslapio funkcijos neveiks, jei neprisijungsite.

IMZA65R083M1HXKSA1

Name: Infineon IMZA65R083M1HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IMZA65R083M1HXKS
Price: 5.96 EUR
Availability: OutOfStock

Vaizdai skirti tik iliustracijai
Žr. produkto specifikacijas

Mouser #:

726-IMZA65R083M1HXKS

Mfr. #:

IMZA65R083M1HXKSA1

Gam.:

Infineon Technologies

Aprašymas:

SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

Duomenų Lapas:

IMZA65R083M1HXKSA1 Duomenų Lapas (PDF)

ECAD modelis:

Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Daugiau informacijos

Sužinokite daugiau apie Infineon Technologies IMZA65R083M1HXKSA1

Prieinamumas

Turime sandėlyje:: Ne Sandėlyje Esantys

Įvyko netikėta klaida. Prašome pabandyti vėliau.
Gamintojo numatytas pristatymo laikas: 26 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje.

Pranešama apie ilgą šio gaminio pristatymo laiką.

Įvesti kiekį:

Min. 1 Užsakoma po 1

Vieneto kaina:

-,-- €

Plėt. Kaina:

-,-- €

Numatomas Įkainis:

Kainodara (EUR)

Qty.	Vieneto kaina	Plėt. Kaina
	5,96 €	5,96 €
	4,57 €	45,70 €
	2,87 €	287,00 €
	2,64 €	1 267,20 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produkto Požymis	Atributo vertė	Pasirinkite Požymį
Gamintojas:	Infineon
Gaminio kategorija:	SiC MOSFET
RoHS:
Montavimo stilius:	Through Hole
Pakuotė / Korpusas:	TO-247-4
Tranzistoriaus poliškumas:	N-Channel
Kanalų skaičius:	1 Channel
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa:	650 V
svar. – nuolatinio išleidimo srovė:	26 A
RDS On - Drain-Source Varža:	111 mOhms
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa:	- 5 V, + 23 V
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa:	5.7 V
Qg – vartų krūvis:	19 nC
Minimali darbinė temperatūra:	- 55 C
Didžiausia darbinė temperatūra:	+ 175 C
Pd - skaidos galia:	104 W
Kanalas Mode:	Enhancement
Prekės Ženklas:	Infineon Technologies
Pakavimas:	Tube
Gaminio tipas:	SiC MOSFETS
Gamyklinės pakuotės kiekis:	240
Subkategorija:	Transistors
Technologijos:	SiC
Dalies Nr., kitokios klasifikacijos numeriai:	IMZA65R083M1H SP005423798

Rasta produktų:

Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį

Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.

Pasirinkti atributai: 0

Filtruoti dokumentą:

Duomenų Lapas

IMZA65R083M1HXKSA1 Duomenų Lapas (PDF)

Product Catalogs

Infineon's Latest Power and Sensing Guide (PDF)

Kad ši funkcija veiktų, reikia įjungti „JavaScript“.

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

CoolSiC™ MOSFETs 650V

Infineon Technologies CoolSiC™ MOSFETs 650V combines the physical strength of silicon carbide with features amplifying device performance, reliability, and ease of use. With its state-of-the-art trench semiconductor process, the CoolSiC™ MOSFET delivers the lowest losses in the application and the highest reliability in operation. CoolSiC is the perfect fit for use in high-temperature and harsh environment applications.

650V CoolSiC™ M1 Trench Power MOSFETs

Infineon Technologies 650V CoolSiC™ M1 Trench Power MOSFETs combine the strong physical characteristics of Silicon Carbide with unique features that increase the device's performance, robustness, and ease of use. The CoolSiC M1 MOSFETs are built on a state-of-the-art trench semiconductor process optimized to deliver the lowest application losses and the highest reliability in operation. Suitable for high temperatures and harsh operations, these devices enable the simplified and cost-effective deployment of the highest system efficiency.