NDSH50120C Silicon Carbide (SiC) Diodes

onsemi NDSH50120C Silicon Carbide (SiC) Diodes provide superior switching performance and higher reliability than silicon. The onsemi NDSH50120C features no reverse recovery current, temperature-independent switching characteristics, and excellent thermal performance. System benefits include high efficiency, fast operating frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size and cost.

Rezultatai: 2
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Montavimo stilius
Pakuotė / Korpusas
Configuration
Jei – tiesioginė srovė
Vrrm - pasikartojanti atvirkštinė įtampa
Vf - tiesioginė įtampa
Ifsm – tiesioginė viršįtampio srovė
IR - Atvirkštinė Srovė
Minimali darbinė temperatūra
Didžiausia darbinė temperatūra
Serija
Pakavimas

onsemi SiC SCHOTTKY diodai Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode - EliteSiC, 50 A, 1200 V, D3, TO-247-2L
Duomenų Lapas
476Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-2 Single 50 A 1.2 kV 1.4 V 231 A 200 uA - 55 C + 175 C NDSH50120C Tube
onsemi SiC SCHOTTKY diodai SIC DIODE GEN2.0 1200V TO247-2L
Duomenų Lapas
441Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-2 Single 53 A 1.2 kV 1.4 V 1.568 kA 12.2 uA - 55 C + 175 C NDSH50120C-F155 Tube