NVH4L050N170M1 Silicon Carbide (SiC) MOSFETs
onsemi NVH4L050N170M1 Silicon Carbide (SiC) MOSFETs deliver exceptional performance with a typical RDS(on) of 53mΩ at VGS = 20V. onsemi NVH4L050N170M1 MOSFETs are optimized for a 20V gate drive. The devices also function effectively with an 18V gate drive, featuring a negative gate voltage drive and reduced turn-off spikes. These devices offer ultra-low total gate charge (105nC), high-speed switching with low capacitance (Coss = 98pF), and 100% avalanche testing for reliability.
Rezultatų Nerasta.
Pabandykite pakeisti toliau pateiktą paieškos žodį arba apsilankykite mūsų Pagalbos Centre.
Pabandykite pakeisti toliau pateiktą paieškos žodį arba apsilankykite mūsų Pagalbos Centre.
Ieškoti Pasiūlymų
- Patikrinkite dalies numerio arba raktažodžių rašybą
- Naudokite mažiau arba kitokius raktažodžius
- Ieškoti pagal 1 dalies numerį vienu metu
- Vienu metu taikykite 1 filtrą
