Atrodo, kad jūsų naršyklėje išjungtas "JavaScript". Kai kurios šio puslapio funkcijos neveiks, jei neprisijungsite.

NCV57001FDWR2G

Name: onsemi NCV57001FDWR2G
Brand: onsemi
SKU: 863-NCV57001FDWR2G
Price: 3.79 EUR
Availability: InStock

Vaizdai skirti tik iliustracijai
Žr. produkto specifikacijas

Mouser #:

863-NCV57001FDWR2G

Mfr. #:

NCV57001FDWR2G

Gam.:

onsemi

Aprašymas:

Galvaniškai Izoliuotos Gate Tvarkyklės ISOLATED HIGH CURRENT IGBT GATE DRIVER WITH FAST STO

Duomenų Lapas:

NCV57001FDWR2G Duomenų Lapas

ECAD modelis:

Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Daugiau informacijos

Sužinokite daugiau apie onsemi NCV57001FDWR2G

Prieinamumas: 1 187

Turime sandėlyje:: 1 187 Galime išsiųsti iš karto

Įvyko netikėta klaida. Prašome pabandyti vėliau.
Gamintojo numatytas pristatymo laikas: 26 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.

Įvesti kiekį:

Min. 1 Užsakoma po 1

Vieneto kaina:

-,-- €

Plėt. Kaina:

-,-- €

Numatomas Įkainis:

Kainodara (EUR)

Qty.	Vieneto kaina	Plėt. Kaina
	3,79 €	3,79 €
	2,20 €	22,00 €
	2,18 €	54,50 €
	2,02 €	202,00 €
Visa Ritė (Užsakoma po 1000)
	2,02 €	2 020,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produkto Požymis	Atributo vertė	Pasirinkite Požymį
Gamintojas:	onsemi
Gaminio kategorija:	Galvaniškai Izoliuotos Gate Tvarkyklės
RoHS:
Serija:	NCV57001FDWR2G
Montavimo stilius:	SMD/SMT
Minimali darbinė temperatūra:	- 40 C
Didžiausia darbinė temperatūra:	+ 125 C
Kilimo Laikas:	10 ns
Rudens laikas:	15 ns
Pakavimas:	Reel
Pakavimas:	Cut Tape
Prekės Ženklas:	onsemi
Configuration:	Inverting, Non-Inverting
Vairuotojų skaičius:	1 Driver
Išėjimų skaičius:	1 Output
Išvesties Srovė:	4 A
Gaminys:	IGBT, MOSFET Gate Drivers
Gaminio tipas:	Galvanically Isolated Gate Drivers
Gamyklinės pakuotės kiekis:	1000
Subkategorija:	PMIC - Power Management ICs
Maksimali Maitinimo Įtampa:	5 V
Maitinimo Įtampa - Min.:	3.3 V

Rasta produktų:

Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį

Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.

Pasirinkti atributai: 0

Filtruoti dokumentą:

Duomenų Lapas

NCV57001FDWR2G Duomenų Lapas

Material Composition Disclosure

CNHTS:: 8542399000
USHTS:: 8542390090
ECCN:: EAR99

Pairing Gate Drivers with EliteSiC MOSFETs

Energy Infrastructure applications like EV charging, energy storage, Uninterruptible Power Systems (UPS), and solar are pushing system power levels to hundreds of kilowatts and even megawatts. These high-power applications employ half bridge, full bridge, and 3-phase topologies duty cycling up to six switches for inverters and BLDC. Depending on the power level and switching speeds, system designers look to various switch technologies, including silicon, IGBTs, and SiC, to best fit application requirements.

NCV57001F IGBT Gate Driver

onsemi NCV57001F IGBT Gate Driver is a high-current single-channel IGBT driver with internal galvanic isolation designed for high system efficiency and reliability. This gate driver features complementary inputs, open-drain FAULT, and Ready outputs, active Miller clamp, accurate UVLOs, DESAT protection, and soft turn-off at DESAT. onsemi NCV57001F IGBT Gate Driver accommodates 5V and 3.3V signals on the input side and a wide bias voltage range on the driver side, including negative voltage capability. This gate driver provides >5kV_rms (UL1577 rating) galvanic isolation and >1200V_iorm (working voltage) capabilities. Typical applications include automotive power supplies, hybrid/electric vehicle (HEV/EV) powertrains, BSG inverters, and positive temperature coefficient (PTC) heaters.