CSD25310Q2 20V P-Channel NexFET Power MOSFET

Texas Instruments CSD25310Q2 20V P-Channel NexFET Power MOSFET is a 19.9mΩ, –20V P-Channel MOSFET that is designed to deliver the lowest on-resistance and gate charge. This is done in the smallest outline possible with excellent thermal characteristics in an ultra-low profile. The CSD25310Q2's low on-resistance coupled with an extremely small footprint in a SON 2mm×2mm plastic package makes the device ideal for battery-operated space-constrained operations.

Rezultatai: 2
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Technologijos
Montavimo stilius
Pakuotė / Korpusas
Tranzistoriaus poliškumas
Kanalų skaičius
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa
svar. – nuolatinio išleidimo srovė
RDS On - Drain-Source Varža
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa
Qg – vartų krūvis
Minimali darbinė temperatūra
Didžiausia darbinė temperatūra
Pd - skaidos galia
Kanalas Mode
Prekinis pavadinimas
Pakavimas
Texas Instruments MOSFETs 20-V P-CH NexFET Pwr MOSFET
Duomenų Lapas
14 268Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 3 000

Si SMD/SMT WSON-6 P-Channel 1 Channel 20 V 20 A 23.9 mOhms - 8 V, 8 V 550 mV 3.6 nC - 55 C + 150 C 2.9 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments MOSFETs -20-V P channel Nex FET power MOSFET si A 595-CSD25310Q2
Duomenų Lapas
17 112Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 250

Si SMD/SMT WSON-6 P-Channel 1 Channel 20 V 20 A 19.9 mOhms - 8 V, 8 V 1.1 V 4.7 nC - 55 C + 150 C 2.9 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel