BGA5H1BN6E6327XTSA1

Infineon Technologies
726-BGA5H1BN6E6327XT
BGA5H1BN6E6327XTSA1

Gam.:

Aprašymas:
RF Stiprintuvas RF MMIC SUB 3 GHZ

ECAD modelis:
Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Prieinamumas: 6 368

Turime sandėlyje:
6 368 Galime išsiųsti iš karto
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
20 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.
Min. 1   Užsakoma po 1
Vieneto kaina:
-,-- €
Plėt. Kaina:
-,-- €
Numatomas Įkainis:

Kainodara (EUR)

Qty. Vieneto kaina
Plėt. Kaina
0,507 € 0,51 €
0,433 € 4,33 €
0,409 € 10,23 €
0,373 € 37,30 €
0,353 € 88,25 €
0,336 € 168,00 €
0,302 € 302,00 €
0,259 € 1 036,00 €
0,233 € 1 864,00 €
Visa Ritė (Užsakoma po 12000)
0,233 € 2 796,00 €

Produkto Požymis Atributo vertė Pasirinkite Požymį
Infineon
Gaminio kategorija: RF Stiprintuvas
RoHS:  
2.3 GHz to 2.69 GHz
1.5 V to 3.6 V
8.5 mA
18 dB
0.7 dB
Low Noise Amplifiers
SMD/SMT
TSNP-6
SiGe
- 16 dBm
- 6 dBm
- 40 C
+ 85 C
Reel
Cut Tape
Prekės Ženklas: Infineon Technologies
Įvesties Grįžtamieji Nuostoliai: 10 dB
Izoliacija dB: 36 dB
Kanalų skaičius: 1 Channel
Pd - skaidos galia: 60 mW
Gaminio tipas: RF Amplifier
Gamyklinės pakuotės kiekis: 12000
Subkategorija: Wireless & RF Integrated Circuits
Test Dažnis: 2.5 GHz
Dalies Nr., kitokios klasifikacijos numeriai: BGA 5H1BN6 E6327 SP001777994
Vieneto Svoris: 0,830 mg
Rasta produktų:
Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį
Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.
Pasirinkti atributai: 0

Kad ši funkcija veiktų, reikia įjungti „JavaScript“.

TARIC:
8542330000
CNHTS:
8542339000
CAHTS:
8542330000
USHTS:
8542330001
MXHTS:
8542330201
ECCN:
EAR99

BGA5x1BN6 Low-noise Amplifiers

Infineon Technologies BGA5x1BN6 Amplifier product family includes +18dBm high-gain, low-noise amplifiers that cover the low (600-1000MHz) mid (1805-2200MHz), and high-band (2300-2690MHz) frequency ranges. Based on Infineon Technologies‘ B9HF Silicon Germanium technology, the BGA5x1BN6 Amplifiers operate from a 1.5V to 3.6V supply voltage and offer single-line two-state control.  The amplifiers provide excellent low-noise performance and competitive insertion-loss levels. Designers can easily enable BGA5x1BN6's off-state mode by powering down the VCC. Available in an ultra-small leadless package measuring only 0.7 x 1.1mm2, the BGA5x1BN6 Amplifiers are ideal for smartphones running on the LTE or GSM network.

Low Noise Amplifier (LNA) ICs

Infineon Technologies Low Noise Amplifier (LNA) ICs boost data rates and reception quality of wireless applications by utilizing a very low-power signal without significant signal-to-noise ratio degradation. The improved receiver sensitivity enhances user experiences and satisfies market requirements. These highly integrated, small-packaged devices come with ESD protection and low power consumption, which is ideal for battery-operated mobile devices. Users of 4G/5G, GPS, Mobile TV, Wi-Fi, and FM portable devices will enjoy high data-rate reception, fast/precise navigation, and smooth, high-quality streaming even in the worst reception conditions.