Visi rezultatai (14)

Pasirinkite žemiau esančią kategoriją, kad pamatytumėte filtravimo parinktis ir susiaurintumėte paiešką.
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS
MACOM RD kūrimo priemonės Sample board, MAPC-A3005-AD000
Duomenų Lapas
1Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

MACOM GaN FET Transistor,GaN,5W,DC-6GHz,2.16mm,Pill
Duomenų Lapas
80Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

MACOM RD kūrimo priemonės Application & Test Fixture, MAPC-A3005
Duomenų Lapas
2Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

MACOM RD kūrimo priemonės Application & Test Fixture, MAPC-A3006
Duomenų Lapas
2Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
MACOM GaN FET Transistor, DC-8.0GHz, 25W, G28V5
Duomenų Lapas
50Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

MACOM RD kūrimo priemonės Application & Test Fixture, MAPC-A3007
Duomenų Lapas
2Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

MACOM GaN FET Transistor, DC-6.0GHz, 35W, G28V5
Duomenų Lapas
50Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

MACOM RD kūrimo priemonės Application & Test Fixture,MAPC-A3008-AB
Duomenų Lapas
1Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

MACOM GaN FET Transistor, DC-4.0GHz, 50W, G28V5
Duomenų Lapas
14Prieinamumas
75Tikėtina 2026-08-21
Min.: 1
Daugkart.: 1

MACOM RD kūrimo priemonės Application & Test Fixture, MAPC-A3009
Duomenų Lapas
3Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

MACOM GaN FET Transistor, DC-4GHz, 120W, G28V5
Duomenų Lapas
20Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

MACOM RD kūrimo priemonės Application & Test Fixture,MAPC-A3010-AB
Duomenų Lapas
1Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

MACOM GaN FET Transistor, DC - 6 GHz, 8W, G28V5-1C
Duomenų Lapas
19Prieinamumas
1 000Tikėtina 2026-07-06
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 000

MACOM GaN FET Transistor,GaN,10W,DC-6GHz,3.6mm,Flange
Duomenų Lapas
200Pagal užsakymą
Min.: 1
Daugkart.: 1