DTMOSIV-H MOSFETs

Toshiba DTMOSIV-H MOSFETs are suited to applications that require high reliability, power efficiency, and a compact design, such as high-efficiency switching power supplies for servers and telecom base stations and as power conditioners for photovoltaic inverters. Toshiba DTMOSIV-H MOSFETs achieve a high-speed switching performance while keeping the low ON-resistance level of conventional DTMOSIV and without loss of power. This is accomplished by reducing parasitic capacitance between gate and drain, which also contributes to improved power efficiency and downsizing of products.

Rezultatai: 19
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Technologijos
Montavimo stilius
Pakuotė / Korpusas
Tranzistoriaus poliškumas
Kanalų skaičius
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa
svar. – nuolatinio išleidimo srovė
RDS On - Drain-Source Varža
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa
Qg – vartų krūvis
Minimali darbinė temperatūra
Didžiausia darbinė temperatūra
Pd - skaidos galia
Kanalas Mode
Prekinis pavadinimas
Pakavimas
Toshiba MOSFETs DTMOSIV-High Speed 600V 88mVGS=10V)
Duomenų Lapas
4 913Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 2 500

Si SMD/SMT DFN8x8-5 N-Channel 1 Channel 600 V 30.8 A 78 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 65 nC - 55 C + 150 C 240 W Enhancement DTMOSIV-H Reel, Cut Tape

Toshiba MOSFETs DTMOSIV-H/S 600V 65mOhmmax(VGS=10V)
Duomenų Lapas
30Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 38.8 A 55 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 85 nC - 55 C + 150 C 270 W Enhancement DTMOSIV-H Tube
Toshiba MOSFETs N-ch MOSFET, 600 V, 0.024 Ohm10V, TO-247, DTMOS6
Duomenų Lapas
45Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 80 A 24 mOhms 30 V 4 V 140 nC + 150 C 506 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFETs Power MOSFET N-Channel
Duomenų Lapas
665Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 120 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 60 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement DTMOSIV-H Tube
Toshiba MOSFETs Power MOSFET N-Channel
Duomenų Lapas
94Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 105 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 40 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement DTMOSIV-H Tube
Toshiba MOSFETs Power MOSFET N-Channel
Duomenų Lapas
84Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 120 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 60 nC - 55 C + 150 C 180 W Enhancement DTMOSIV-H Tube

Toshiba MOSFETs Power MOSFET N-Channel
Duomenų Lapas
39Prieinamumas
60Tikėtina 2026-02-20
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 105 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 40 nC - 55 C + 150 C 180 W Enhancement DTMOSIV-H Tube
Toshiba MOSFETs DTMOSIV-High Speed 600V 88m (VGS=10V)
Duomenų Lapas
72Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 30.8 A 73 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 65 nC - 55 C + 150 C 230 W Enhancement DTMOSIV-H Tube

Toshiba MOSFETs DTMOSIV-H/S 600V 88mOhmmax(VGS=10V)
Duomenų Lapas
34Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 30.8 A 73 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 65 nC - 55 C + 150 C 230 W Enhancement DTMOSIV-H Tube
Toshiba MOSFETs TO-247-4L PD=230W 1MHz PWR MOSFET TRNS
Duomenų Lapas
46Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 600 V 30.8 A 88 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 65 nC - 55 C + 150 C 230 W Enhancement DTMOSIV-H Tube
Toshiba MOSFETs Power MOSFET N-Channel
Duomenų Lapas
98Tikėtina 2026-05-15
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 105 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 40 nC - 55 C + 150 C 180 W Enhancement DTMOSIV-H Tube

Toshiba MOSFETs Power MOSFET N-Channel
Duomenų Lapas
60Tikėtina 2026-02-20
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 120 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 60 nC - 55 C + 150 C 180 W Enhancement DTMOSIV-H Tube
Toshiba MOSFETs DTMOSIV-High Speed 600V 40mOhmmax
Duomenų Lapas
60Tikėtina 2026-02-20
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 61.8 A 33 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 135 nC - 55 C + 150 C 400 W Enhancement DTMOSIV-H Tube
Toshiba MOSFETs TO-247-4L PD=400W 1MHz PWR MOSFET TRNS
Duomenų Lapas
5Tikėtina 2026-02-20
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 600 V 61.8 A 40 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 135 nC - 55 C + 150 C 400 W Enhancement DTMOSIV-H Tube
Toshiba MOSFETs TO-220SIS PD=45W 1MHz PWR MOSFET TRNS
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 32 Savaičių
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 22 A 160 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 50 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement DTMOSIV-H Tube
Toshiba MOSFETs TO-220SIS PD=45W 1MHz PWR MOSFET TRNS
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 32 Savaičių
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 22 A 150 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 50 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement DTMOSIV-H Tube
Toshiba MOSFETs Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DFN 8?8 PD=180W F=1MHZ
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 20 Savaičių
Min.: 2 500
Daugkart.: 2 500
Reel: 2 500

Si SMD/SMT DFN8x8-5 N-Channel 1 Channel 650 V 22 A 170 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 50 nC - 55 C + 150 C 180 W Enhancement DTMOSIV-H Reel
Toshiba MOSFETs Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DTMOS DFN8x8-OS PD=180W F=1MHZ
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 20 Savaičių
Min.: 2 500
Daugkart.: 2 500
Reel: 2 500

Si SMD/SMT DFN8x8-5 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 150 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 60 nC - 55 C + 150 C 180 W Enhancement DTMOSIV-H Reel
Toshiba MOSFETs 180W 1MHZ POWER MOSFET TRANSISTOR
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 20 Savaičių
Min.: 2 500
Daugkart.: 2 500
Reel: 2 500

Si SMD/SMT DFN8x8-5 DTMOSIV-H Reel