STDRIVEG612 600V Half-Bridge Gate Driver

STMicroelectronics STDRIVEG612 600V High-Speed Half-Bridge Gate Driver is optimized for 5V driving enhanced-mode GaN HEMTs. The high-side driver section is designed to support a voltage rail of up to 600V and can be easily supplied by the integrated bootstrap diode. High-current capability, short propagation delay with excellent delay matching, and integrated LDOs make the STDRIVEG612 optimized for driving high-speed GaN.

Visi rezultatai (2)

Pasirinkite žemiau esančią kategoriją, kad pamatytumėte filtravimo parinktis ir susiaurintumėte paiešką.
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS
STMicroelectronics Gate Tvarkyklės High voltage and high-speed half-bridge gate driver for GaN power switches
Duomenų Lapas
700Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 3 000

STMicroelectronics STDRIVEG612Q
STMicroelectronics STMicroelectronics High voltage and high-speed half-bridge gate driver for GaN power switches
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 52 Savaičių
Min.: 4 900
Daugkart.: 4 900