QPD1013EVB01

Qorvo
772-QPD1013EVB01
QPD1013EVB01

Gam.:

Aprašymas:
RD kūrimo priemonės DC-2.7GHz 150W Eval Board

Produktas prieinamas tik pirminės įrangos gamintojams / elektronikos gamybos įmonėms ir projektavimo srities verslo klientams. Produktas nesiunčiamas klientams į ES arba JK

Prieinamumas

Turime sandėlyje:
0

Taip pat galite pirkti šį produktą kaip sandėlyje neesančią prekę.

Gamintojo numatytas pristatymo laikas
14 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje.
Min. 1   Užsakoma po 1
Vieneto kaina:
-,-- €
Plėt. Kaina:
-,-- €
Numatomas Įkainis:
Šis Produktas Siunčiamas NEMOKAMAI

Kainodara (EUR)

Qty. Vieneto kaina
Plėt. Kaina
945,00 € 945,00 €

Produkto Požymis Atributo vertė Pasirinkite Požymį
Qorvo
Gaminio kategorija: RD kūrimo priemonės
Siuntimo apribojimai:
 Produktas prieinamas tik pirminės įrangos gamintojams / elektronikos gamybos įmonėms ir projektavimo srities verslo klientams. Produktas nesiunčiamas klientams į ES arba JK
RoHS:  
Evaluation Boards
RF Transistor
QPD1013
1.2 GHz to 1.9 GHz
Prekės Ženklas: Qorvo
Skirta naudoti su: QPD1013 GaN RF Transistor
Pakavimas: Bulk
Gaminio tipas: RF Development Tools
Serija: QPD1013
Gamyklinės pakuotės kiekis: 1
Subkategorija: Development Tools
Dalies Nr., kitokios klasifikacijos numeriai: QPD1013
Vieneto Svoris: 340,825 g
Rasta produktų:
Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį
Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.
Pasirinkti atributai: 0

TARIC:
8542330000
CNHTS:
8542330000
CAHTS:
8542330000
USHTS:
8542330001
MXHTS:
8542330201
ECCN:
EAR99

QPD1013 GaN RF Transistor Evaluation Board

Qorvo QPD1013 GaN RF Transistor Evaluation Board evaluates the QPD1013 GaN RF transistor. This evaluation board works in a frequency range of 1.2GHz to 1.9GHz. The QPD1013 GaN RF transistor is a high-power, wide-bandwidth High Electron Mobility Transistor (HEMT) which operates from DC to 2.7GHz.

GaN Transistor Solutions for Sub 6GHz 5G

Qorvo GaN Transistor Solutions for Sub-6GHz 5G are a broad portfolio of gallium nitride (GaN) discrete transistor products. The devices have varying levels of power, voltage, and frequency ratings in die-level and packaged solutions. Qorvo GaN Transistor Solutions for Sub-6GHz 5G provide high GaN performance plus the convenience of industry-standard packaging. This speeds design, manufacturing, and is backed by industry-leading reliability.