Atrodo, kad jūsų naršyklėje išjungtas "JavaScript". Kai kurios šio puslapio funkcijos neveiks, jei neprisijungsite.

FFSH1265BDN-F085

Name: onsemi FFSH1265BDN-F085
Brand: onsemi
SKU: 863-FFSH1265BDN-F085
Price: 5.87 EUR
Availability: InStock

Vaizdai skirti tik iliustracijai
Žr. produkto specifikacijas

Mouser #:

863-FFSH1265BDN-F085

Mfr. #:

FFSH1265BDN-F085

Gam.:

onsemi

Aprašymas:

SiC SCHOTTKY diodai 650V 12A SIC SBD GEN1.5

Duomenų Lapas:

FFSH1265BDN-F085 Duomenų Lapas

ECAD modelis:

Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Daugiau informacijos

Sužinokite daugiau apie onsemi FFSH1265BDN-F085

Prieinamumas: 273

Turime sandėlyje:: 273 Galime išsiųsti iš karto

Įvyko netikėta klaida. Prašome pabandyti vėliau.
Gamintojo numatytas pristatymo laikas: 8 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.

Didesniam nei 273 kiekiui taikomi minimalaus užsakymo reikalavimai.

Įvesti kiekį:

Min. 1 Užsakoma po 1

Vieneto kaina:

-,-- €

Plėt. Kaina:

-,-- €

Numatomas Įkainis:

Kainodara (EUR)

Qty.	Vieneto kaina	Plėt. Kaina
	5,87 €	5,87 €
	3,77 €	37,70 €
	3,26 €	391,20 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produkto Požymis	Atributo vertė	Pasirinkite Požymį
Gamintojas:	onsemi
Gaminio kategorija:	SiC SCHOTTKY diodai
RoHS:
REACH - SVHC:
Montavimo stilius:	Through Hole
Pakuotė / Korpusas:	TO-247-3
Configuration:	Single
Jei – tiesioginė srovė:	12 A
Vrrm - pasikartojanti atvirkštinė įtampa:	650 V
Vf - tiesioginė įtampa:	1.38 V
Ifsm – tiesioginė viršįtampio srovė:	24 A
IR - Atvirkštinė Srovė:	25 nA
Minimali darbinė temperatūra:	- 55 C
Didžiausia darbinė temperatūra:	+ 175 C
Serija:	FFSH1265BDN-F085
Kvalifikacija:	AEC-Q101
Pakavimas:	Tube
Prekės Ženklas:	onsemi
Pd - skaidos galia:	52 W
Gaminio tipas:	SiC Schottky Diodes
Gamyklinės pakuotės kiekis:	30
Subkategorija:	Diodes & Rectifiers
Prekinis pavadinimas:	EliteSiC
Vr - atvirkštinė įtampa:	650 V
Vieneto Svoris:	12,091 g

Rasta produktų:

Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį

Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.

Pasirinkti atributai: 0

Filtruoti dokumentą:

Duomenų Lapas

FFSH1265BDN-F085 Duomenų Lapas

PCN

Material Composition Disclosure

CNHTS:: 8541100000
USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

FFSH1265BDN-F085 650V SiC Schottky Diodes

onsemi FFSH1265BDN-F085 650V 12A Silicon Carbide Schottky Diodes use a technology that provides superior switching performance and higher reliability. onsemi FFSH1265BDN-F085 SiC Diodes feature temperature-independent switching characteristics, no reverse recovery current, and excellent thermal performance. Additional benefits include the highest efficiency, faster operating frequency, increased power density, reduced EMI, reduced system size, and increased cost-effectiveness. The FFSH1265BDN-F085 650V, 12A SiC Schottky Diodes are available in a TO-247-3LD package.

D2 EliteSiC Diodes

onsemi D2 EliteSiC Diodes are a range of high-performance diodes designed for applications requiring a voltage rating of 650V. The onsemi D2 is available in various packages, including DPAK-3, D2PAK-2, D2PAK-3, PQFN-4, TO-220-2, TO-220-3, TO-247-2, and TO-247-3. These diodes offer low capacitive charge (QC) and are optimized for high-speed switching with low forward voltage. These features make the diodes ideal for power factor correction (PFC) and output rectification applications.

650V EliteSiC (Silicon Carbide) Schottky Diodes

onsemi 650V EliteSiC (Silicon Carbide) Schottky Diodes provide superior switching performance and higher reliability to silicon-based devices. These SiC Schottky diodes feature no reverse recovery current, temperature-independent switching, and excellent thermal performance. The system benefits include high efficiency, fast operating frequency, high power density, low EMI, and reduced system size and cost.