NDSH30120CDN

onsemi
863-NDSH30120CDN
NDSH30120CDN

Gam.:

Aprašymas:
SiC SCHOTTKY diodai SIC DIODE GEN2.0 1200V TO

ECAD modelis:
Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Prieinamumas: 382

Turime sandėlyje:
382 Galime išsiųsti iš karto
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
13 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.
Min. 1   Užsakoma po 1
Vieneto kaina:
-,-- €
Plėt. Kaina:
-,-- €
Numatomas Įkainis:

Kainodara (EUR)

Qty. Vieneto kaina
Plėt. Kaina
9,00 € 9,00 €
5,65 € 56,50 €
5,64 € 564,00 €
4,99 € 2 245,50 €
4,91 € 4 419,00 €
2 700 Pasiūlymas

Produkto Požymis Atributo vertė Pasirinkite Požymį
onsemi
Gaminio kategorija: SiC SCHOTTKY diodai
RoHS:  
REACH - SVHC:
Through Hole
TO-247-3
Dual Anode Common Cathode
38 A
1.2 kV
1.75 V
91 A
1.5 uA
- 55 C
+ 175 C
NDSH30120CDN
Tube
Prekės Ženklas: onsemi
Pd - skaidos galia: 158 W
Gaminio tipas: SiC Schottky Diodes
Gamyklinės pakuotės kiekis: 450
Subkategorija: Diodes & Rectifiers
Prekinis pavadinimas: EliteSiC
Vr - atvirkštinė įtampa: 1.2 kV
Rasta produktų:
Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį
Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.
Pasirinkti atributai: 0

TARIC:
8541100000
CNHTS:
8541590000
CAHTS:
8541100090
USHTS:
8541100080
ECCN:
EAR99

D3 EliteSiC Diodes

onsemi D3 EliteSiC Diodes are a solution for applications requiring high-power PFC and output rectification. The onsemi D3 has a maximum voltage rating of 1200V. These diodes come in two package options, TO-247-2LD and TO-247-3LD, providing flexibility for various designs. The D3 EliteSiC Diodes are optimized for high-temperature operation with low series-resistance temperature dependency, ensuring consistent and reliable performance even under extreme conditions.

NDSH30120CDN Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode

onsemi NDSH30120CDN Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode provides superior switching performance and higher reliability than Silicon in a TO-247-3LD package. NDSH30120CDN features no reverse recovery current, temperature-independent switching characteristics, and excellent thermal performance. System benefits include high efficiency, fast operating frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size and cost. This EliteSiC diode offers a positive temperature coefficient and and high surge current capacity.