Atrodo, kad jūsų naršyklėje išjungtas "JavaScript". Kai kurios šio puslapio funkcijos neveiks, jei neprisijungsite.

Grįžti į Paieškos Rezultatus

Matote Klaidą?

NDSH20120C

Name: onsemi NDSH20120C
Brand: onsemi
SKU: 863-NDSH20120C
Price: 7.77 EUR
Availability: InStock

Vaizdai skirti tik iliustracijai
Žr. produkto specifikacijas

Mouser #:

863-NDSH20120C

Mfr. #:

NDSH20120C

Gam.:

onsemi

Aprašymas:

SiC SCHOTTKY diodai Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode - EliteSiC, 20 A, 1200 V, D3, TO-247-2L

Duomenų Lapas:

NDSH20120C Duomenų Lapas

ECAD modelis:

Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Daugiau informacijos

Sužinokite daugiau apie onsemi NDSH20120C

Prieinamumas: 574

Turime sandėlyje:: 574 Galime išsiųsti iš karto

Įvyko netikėta klaida. Prašome pabandyti vėliau.
Gamintojo numatytas pristatymo laikas: 13 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.

Įvesti kiekį:

Min. 1 Užsakoma po 1

Vieneto kaina:

-,-- €

Plėt. Kaina:

-,-- €

Numatomas Įkainis:

Kainodara (EUR)

Qty.	Vieneto kaina	Plėt. Kaina
	7,77 €	7,77 €
	5,36 €	53,60 €
	4,46 €	446,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produkto Požymis	Atributo vertė	Pasirinkite Požymį
Gamintojas:	onsemi
Gaminio kategorija:	SiC SCHOTTKY diodai
RoHS:
REACH - SVHC:
Montavimo stilius:	Through Hole
Pakuotė / Korpusas:	TO-247-2
Configuration:	Single
Jei – tiesioginė srovė:	20 A
Vrrm - pasikartojanti atvirkštinė įtampa:	1.2 kV
Vf - tiesioginė įtampa:	1.38 V
Ifsm – tiesioginė viršįtampio srovė:	119 A
IR - Atvirkštinė Srovė:	200 uA
Minimali darbinė temperatūra:	- 55 C
Didžiausia darbinė temperatūra:	+ 175 C
Serija:	NDSH20120C
Pakavimas:	Tube
Prekės Ženklas:	onsemi
Pd - skaidos galia:	214 W
Gaminio tipas:	SiC Schottky Diodes
Gamyklinės pakuotės kiekis:	450
Subkategorija:	Diodes & Rectifiers
Prekinis pavadinimas:	EliteSiC
Vr - atvirkštinė įtampa:	1.2 kV

Rasta produktų:

Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį

Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.

Pasirinkti atributai: 0

Filtruoti dokumentą:

Duomenų Lapas

NDSH20120C Duomenų Lapas

PCN

Product Change Notification (PDF)

Material Composition Disclosure

CNHTS:: 8541100000
ECCN:: EAR99

NDSH20120C Silicon Carbide (SiC) Diodes

onsemi NDSH20120C Silicon Carbide (SiC) Diodes provide superior switching performance and higher reliability than silicon. The onsemi NDSH20120C features no reverse recovery current, temperature-independent switching characteristics, and excellent thermal performance. System benefits include high efficiency, fast operating frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size and cost.

D3 EliteSiC Diodes

onsemi D3 EliteSiC Diodes are a solution for applications requiring high-power PFC and output rectification. The onsemi D3 has a maximum voltage rating of 1200V. These diodes come in two package options, TO-247-2LD and TO-247-3LD, providing flexibility for various designs. The D3 EliteSiC Diodes are optimized for high-temperature operation with low series-resistance temperature dependency, ensuring consistent and reliable performance even under extreme conditions.