NVMTS1D2N08H

onsemi
863-NVMTS1D2N08H
NVMTS1D2N08H

Gam.:

Aprašymas:
MOSFETs 80V 337A 1.1mOhms

ECAD modelis:
Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Prieinamumas: 3 391

Turime sandėlyje:
3 391 Galime išsiųsti iš karto
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
19 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.
Min. 1   Užsakoma po 1
Vieneto kaina:
-,-- €
Plėt. Kaina:
-,-- €
Numatomas Įkainis:
Pakuotė:
Visa Ritė (Užsakoma po 3000)

Kainodara (EUR)

Qty. Vieneto kaina
Plėt. Kaina
Nukerpama juosta / „MouseReel™“
5,80 € 5,80 €
4,09 € 40,90 €
3,04 € 304,00 €
2,94 € 1 470,00 €
2,92 € 2 920,00 €
Visa Ritė (Užsakoma po 3000)
2,59 € 7 770,00 €
† 5,00 € „MouseReel™“ mokestis bus pridėtas ir apskaičiuotas jūsų pirkinių krepšelyje. Visi „MouseReel™“ užsakymai neatšaukiami ir negrąžinami.

Produkto Požymis Atributo vertė Pasirinkite Požymį
onsemi
Gaminio kategorija: MOSFETs
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
DFNW-8
N-Channel
1 Channel
80 V
337 A
1.1 mOhms
- 20 V, 20 V
4 V
147 nC
- 55 C
+ 175 C
300 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel
Cut Tape
MouseReel
Prekės Ženklas: onsemi
Configuration: Single
Rudens laikas: 19 ns
Tiesioginis laidumas - min: 400 S
Gaminio tipas: MOSFETs
Kilimo Laikas: 14 ns
Serija: NVMTS1D2N08H
Gamyklinės pakuotės kiekis: 3000
Subkategorija: Transistors
Tipinė išjungimo vėlinimo trukmė: 66 ns
Tipinė įjungimo vėlinimo trukmė: 29 ns
Tranzistoriaus tipas: 1 N-Channel
Vieneto Svoris: 319,280 mg
Rasta produktų:
Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį
Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.
Pasirinkti atributai: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

Trench8 MOSFETs

onsemi Trench8 MOSFETs feature low maximum ON-resistance (RDS(ON), ultra-low gate charge (Qg), and low (Qg) x RDS(ON), a key figure of merit (FOM) for MOSFETs used in power conversion applications. Featuring optimized switching performance based on T6 technology, the Trench8 MOSFETs offer a 35% to 40% reduction in Qg and Qoss from the Trench6 series. The onsemi Trench8 MOSFETs are available in a wide range of package types for design flexibility. AEC-Q101 Qualified and PPAP capable options are available for automotive applications. Many of these devices are offered in flank-wettable packages enabling automated optical inspection (AOI).

N-Channel 80V Automotive Power MOSFET

onsemi N-Channel 80V Automotive Power MOSFET is available in an 8mm x 8mm flat-lead package ideal for compact and efficient designs. The single N-Channel 80V device features a 1.1mΩ RDS(on) drain-source on-resistance. The MOSFET includes a wettable flank option available for enhanced optical inspection. The onsemi N-Channel 80V Automotive Power MOSFET is also AEC-Q101-qualified and PPAP-capable, making it suitable for automotive applications.