SGT350R70GTK

STMicroelectronics
511-SGT350R70GTK
SGT350R70GTK

Gam.:

Aprašymas:
GaN FET 700 V, 270 mOhm typ., 6 A, e-mode PowerGaN transistor

Eksploatacijos Laikotarpis:
Naujas Produktas:
Naujiena iš šio gamintojo.
ECAD modelis:
Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Prieinamumas: 711

Turime sandėlyje:
711 Galime išsiųsti iš karto
Min. 1   Užsakoma po 1
Vieneto kaina:
-,-- €
Plėt. Kaina:
-,-- €
Numatomas Įkainis:
Pakuotė:
Visa Ritė (Užsakoma po 2500)

Kainodara (EUR)

Qty. Vieneto kaina
Plėt. Kaina
Nukerpama juosta / „MouseReel™“
2,24 € 2,24 €
1,44 € 14,40 €
1,03 € 103,00 €
0,869 € 434,50 €
0,82 € 820,00 €
Visa Ritė (Užsakoma po 2500)
0,702 € 1 755,00 €
0,697 € 3 485,00 €
0,68 € 6 800,00 €
† 5,00 € „MouseReel™“ mokestis bus pridėtas ir apskaičiuotas jūsų pirkinių krepšelyje. Visi „MouseReel™“ užsakymai neatšaukiami ir negrąžinami.

Produkto Požymis Atributo vertė Pasirinkite Požymį
STMicroelectronics
Gaminio kategorija: GaN FET
RoHS:  
SMD/SMT
DPAK-3
700 V
6 A
350 mOhms
- 1.4 V, + 7 V
2.5 V
1.5 nC
- 55 C
+ 150 C
47 W
Enhancement
Prekės Ženklas: STMicroelectronics
Configuration: Single
Rudens laikas: 6.1 ns
Jautrus drėgmei: Yes
Pakavimas: Reel
Pakavimas: Cut Tape
Pakavimas: MouseReel
Gaminys: FET
Gaminio tipas: GaN FETs
Kilimo Laikas: 3.5 ns
Serija: SGT
Gamyklinės pakuotės kiekis: 2500
Subkategorija: Transistors
Technologijos: GaN
Tipas: PowerGaN Transistor
Tipinė išjungimo vėlinimo trukmė: 1.2 ns
Tipinė įjungimo vėlinimo trukmė: 0.9 ns
Vieneto Svoris: 300 mg
Rasta produktų:
Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį
Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.
Pasirinkti atributai: 0

Kad ši funkcija veiktų, reikia įjungti „JavaScript“.

TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

SGT350R70GTK E-Mode PowerGaN Transistor

STMicroelectronics SGT350R70GTK E-Mode PowerGaN Transistor is a high-performance enhancement-mode PowerGaN transistor optimized for efficient power conversion in demanding applications. With a drain-source voltage rating of 700V and a maximum on-resistance of 350mΩ, the STMicroelectronics SGT350R70GTK delivers low conduction losses and fast switching capabilities thanks to Gallium Nitride (GaN) technology. Packaged in a thermally enhanced DPAK format, the device supports high current handling and improved heat dissipation, suitable for high-density power designs. A low gate charge and output capacitance enable high-frequency operation, ideal for use in power factor correction (PFC), resonant converters, and other advanced power topologies in industrial, telecom, and consumer electronics sectors.