Rezultatai: 5
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Montavimo stilius
Pakuotė / Korpusas
Tranzistoriaus poliškumas
Kanalų skaičius
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa
svar. – nuolatinio išleidimo srovė
RDS On - Drain-Source Varža
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa
Qg – vartų krūvis
Minimali darbinė temperatūra
Didžiausia darbinė temperatūra
Pd - skaidos galia
Kanalas Mode
Nexperia GaN FET SOT8074 650V 17A FET
Duomenų Lapas
2 060Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 2 500

SMD/SMT DFN-8080-8 N-Channel 1 Channel 650 V 17 A 140 mOhms 1.2 nC - 55 C + 150 C 113 W Enhancement
Nexperia GaN FET SOT8075 650V 17A FET
Duomenų Lapas
1 728Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 2 500

SMD/SMT DFN-5060-5 N-Channel 1 Channel 650 V 17 A 140 mOhms - 7 V, + 7 V 2.5 V 3.5 nC - 55 C + 150 C 113 W Enhancement
Nexperia GaN FET SOT8074 650V 29A FET
Duomenų Lapas
286Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 2 500

SMD/SMT DFN-8080-8 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 80 mOhms - 7 V, + 7 V 2.5 V 6.2 nC - 55 C + 150 C 188 W Enhancement
Nexperia GaN FET SOT8074 650V 11.5A FET
Duomenų Lapas
720Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 2 500

SMD/SMT DFN-8080-8 N-Channel 1 Channel 650 V 11.5 A 190 mOhms - 7 V, + 7 V 2.5 V 2.8 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement
Nexperia GaN FET SOT8075 650V 11.5A FET
Duomenų Lapas
2 483Tikėtina 2026-02-23
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 2 500

SMD/SMT DFN-5060-5 N-Channel 1 Channel 650 V 11.5 A 190 mOhms - 7 V, + 7 V 2.5 V 2.8 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement