Atrodo, kad jūsų naršyklėje išjungtas "JavaScript". Kai kurios šio puslapio funkcijos neveiks, jei neprisijungsite.

NTMT045N065SC1

Name: onsemi NTMT045N065SC1
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMT045N065SC1
Price: 10.32 EUR
Availability: InStock

Vaizdai skirti tik iliustracijai
Žr. produkto specifikacijas

Mouser #:

863-NTMT045N065SC1

Mfr. #:

NTMT045N065SC1

Gam.:

onsemi

Aprašymas:

SiC MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 33 mohm, 650 V, M2, Power88

Duomenų Lapas:

NTMT045N065SC1 Duomenų Lapas

ECAD modelis:

Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Daugiau informacijos

Sužinokite daugiau apie onsemi NTMT045N065SC1

Prieinamumas: 5 875

Turime sandėlyje:: 5 875 Galime išsiųsti iš karto

Įvyko netikėta klaida. Prašome pabandyti vėliau.
Gamintojo numatytas pristatymo laikas: 16 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.

Didesniam nei 5875 kiekiui taikomi minimalaus užsakymo reikalavimai.

Įvesti kiekį:

Min. 1 Užsakoma po 1

Vieneto kaina:

-,-- €

Plėt. Kaina:

-,-- €

Numatomas Įkainis:

Kainodara (EUR)

Qty.	Vieneto kaina	Plėt. Kaina
	10,32 €	10,32 €
	7,52 €	75,20 €
	6,51 €	651,00 €
	5,97 €	5 970,00 €
Visa Ritė (Užsakoma po 3000)
	5,53 €	16 590,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produkto Požymis	Atributo vertė	Pasirinkite Požymį
Gamintojas:	onsemi
Gaminio kategorija:	SiC MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Montavimo stilius:	SMD/SMT
Pakuotė / Korpusas:	TDFN-4
Tranzistoriaus poliškumas:	N-Channel
Kanalų skaičius:	1 Channel
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa:	650 V
svar. – nuolatinio išleidimo srovė:	55 A
RDS On - Drain-Source Varža:	50 mOhms
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa:	- 8 V, + 22 V
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa:	4.3 V
Qg – vartų krūvis:	105 nC
Minimali darbinė temperatūra:	- 55 C
Didžiausia darbinė temperatūra:	+ 175 C
Pd - skaidos galia:	187 W
Kanalas Mode:	Enhancement
Prekinis pavadinimas:	EliteSiC
Prekės Ženklas:	onsemi
Configuration:	Single
Rudens laikas:	7 ns
Tiesioginis laidumas - min:	16 S
Pakavimas:	Reel
Pakavimas:	Cut Tape
Gaminio tipas:	SiC MOSFETS
Kilimo Laikas:	14 ns
Serija:	NTMT045N065SC1
Gamyklinės pakuotės kiekis:	3000
Subkategorija:	Transistors
Technologijos:	SiC
Tipinė išjungimo vėlinimo trukmė:	26 ns
Tipinė įjungimo vėlinimo trukmė:	13 ns

Rasta produktų:

Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį

Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.

Pasirinkti atributai: 0

Filtruoti dokumentą:

Duomenų Lapas

NTMT045N065SC1 Duomenų Lapas

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

M2 EliteSiC MOSFETs

onsemi M2 EliteSiC MOSFETs feature voltage options of 650V, 750V, and 1200V. The onsemi M2 MOSFETs come in various packages, including D2PAK7, H-PSOF8L, TDFN4 8x8, TO-247-3LD, and TO-247-4LD. The MOSFETs provide flexibility in design and implementation. Additionally, the M2 EliteSiC MOSFETs boast a maximum gate-to-source voltage of +22V/-8V, low R_DS(on), and high short circuit withstand time (SCWT).

NTMT045N065SC1 Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

onsemi NTMT045N065SC1 Silicon Carbide (SiC) MOSFETs use technology that provides superior switching performance and higher reliability compared to Silicon. The onsemi MOSFETs feature low ON resistance and a compact chip size that ensures low capacitance and gate charge. The devices have benefits that include high efficiency, fast operation frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size.