NDSH20120CDN

onsemi
863-NDSH20120CDN
NDSH20120CDN

Gam.:

Aprašymas:
SiC SCHOTTKY diodai SIC DIODE GEN2.0 1200V TO247-3L

Duomenų Lapas:
ECAD modelis:
Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.
Daugiau informacijos
Sužinokite daugiau apie onsemi NDSH20120CDN

Produkto Požymis Atributo vertė Pasirinkite Požymį
onsemi
Gaminio kategorija: SiC SCHOTTKY diodai
RoHS:  
REACH - SVHC:
Through Hole
TO-247-3
Dual Anode Common Cathode
24 A
1.2 kV
1.75 V
59 A
1 uA
- 55 C
+ 175 C
1.2 kV
NDSH20120CDN
Tube
Prekės Ženklas: onsemi
Pd - skaidos galia: 94 W
Gaminio tipas: SiC Schottky Diodes
Gamyklinės pakuotės kiekis: 30
Subkategorija: Diodes & Rectifiers
Prekinis pavadinimas: EliteSiC
Rasta produktų:
Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį
Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.
Pasirinkti atributai: 0

Duomenų Lapas

Reglamentavimo kodai
TARIC:
8541100000
CAHTS:
8541100090
USHTS:
8541100080
ECCN:
EAR99
Klasifikacija pagal kilmę
Kilmės šalis:
Kinija
Šalis, kurioje pagaminta:
Kinija
Distribucijos šalis:
Pietų Korėja
Šalis gali keistis siuntimo metu.

D3 EliteSiC Diodes

onsemi D3 EliteSiC Diodes are a solution for applications requiring high-power PFC and output rectification. The onsemi D3 has a maximum voltage rating of 1200V. These diodes come in two package options, TO-247-2LD and TO-247-3LD, providing flexibility for various designs. The D3 EliteSiC Diodes are optimized for high-temperature operation with low series-resistance temperature dependency, ensuring consistent and reliable performance even under extreme conditions.

NDSH20120CDN Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode

onsemi NDSH20120CDN Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode provides superior switching performance and higher reliability compared to Silicon. The TO-247-3LD packaged NDSH20120CDN features no reverse recovery current, temperature-independent switching characteristics, and excellent thermal performance. System benefits include high efficiency, fast operating frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size and cost. This EliteSiC diode offers a positive temperature coefficient and ease of paralleling.

Prieinamumas: 400

Turime sandėlyje:
400 Galime išsiųsti iš karto
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
41 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.
Min. 1   Užsakoma po 1
Vieneto kaina:
-,-- €
Plėt. Kaina:
-,-- €
Numatomas Įkainis:

Kainodara (EUR)

Qty. Vieneto kaina
Plėt. Kaina
8,30 € 8,30 €
5,71 € 57,10 €
5,41 € 649,20 €
4,92 € 2 509,20 €
4,59 € 4 681,80 €
25 020 Pasiūlymas

Įvyko netikėta klaida.


Turite klausimų? Apsilankykite pagalbos centre.
Jei turite klausimų apie konkretų užsakymą, prisijunkite prie savo paskyros.

Jei susidūrėte su papildomomis problemomis, susisiekite su mumis tel. Nr. 800-346-6873 arba el. paštu help@mouser.com.