Atrodo, kad jūsų naršyklėje išjungtas "JavaScript". Kai kurios šio puslapio funkcijos neveiks, jei neprisijungsite.

NVXK2TR80WDT

Name: onsemi NVXK2TR80WDT
Brand: onsemi
SKU: 863-NVXK2TR80WDT
Price: 44.35 EUR
Availability: InStock

Vaizdai skirti tik iliustracijai
Žr. produkto specifikacijas

Mouser #:

863-NVXK2TR80WDT

Mfr. #:

NVXK2TR80WDT

Gam.:

onsemi

Aprašymas:

MOSFET moduliai APM32 SIC H-BRIDGE POWER MODULE

Eksploatacijos Laikotarpis:

"Mouser Naujiena"

Duomenų Lapas:

NVXK2TR80WDT Duomenų Lapas

ECAD modelis:

Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Daugiau informacijos

Sužinokite daugiau apie onsemi NVXK2TR80WDT

Prieinamumas: 48

Turime sandėlyje:: 48 Galime išsiųsti iš karto

Įvyko netikėta klaida. Prašome pabandyti vėliau.
Gamintojo numatytas pristatymo laikas: 14 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.

Įvesti kiekį:

Min. 1 Užsakoma po 1

Vieneto kaina:

-,-- €

Plėt. Kaina:

-,-- €

Numatomas Įkainis:

Kainodara (EUR)

Qty.	Vieneto kaina	Plėt. Kaina
	44,35 €	44,35 €
	36,47 €	364,70 €
	32,35 €	3 882,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produkto Požymis	Atributo vertė	Pasirinkite Požymį
Gamintojas:	onsemi
Gaminio kategorija:	MOSFET moduliai
RoHS:
Technologijos:	SiC
Montavimo stilius:	Through Hole
Pakuotė / Korpusas:	APM-32
Tranzistoriaus poliškumas:	N-Channel
Kanalų skaičius:	4 Channel
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa:	1.2 kV
svar. – nuolatinio išleidimo srovė:	20 A
RDS On - Drain-Source Varža:	116 mOhms
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa:	- 15 V, + 25 V
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa:	4.3 V
Minimali darbinė temperatūra:	- 40 C
Didžiausia darbinė temperatūra:	+ 175 C
Pd - skaidos galia:	82 W
Serija:	NVXK2TR80WDT
Pakavimas:	Tube
Prekės Ženklas:	onsemi
Configuration:	Dual Half-Bridge
Rudens laikas:	9 ns
Aukštis:	5.8 mm
Ilgis:	44.2 mm
Gaminio tipas:	MOSFET Modules
Kilimo Laikas:	12 ns
Gamyklinės pakuotės kiekis:	60
Subkategorija:	Discrete and Power Modules
Tipas:	Half-Bridge
Tipinė įjungimo vėlinimo trukmė:	12 ns
Prekinis pavadinimas:	EliteSiC
Plotis:	29 mm

Rasta produktų:

Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį

Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.

Pasirinkti atributai: 0

Filtruoti dokumentą:

Duomenų Lapas

NVXK2TR80WDT Duomenų Lapas

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NVXK2TR80WDT Silicon Carbide (SiC) Module

onsemi NVXK2TR80WDT Silicon Carbide (SiC) Module is a 1200V, 80mΩ, and 20A dual half-bridge EliteSiC power module housed in a APM32 Dual Inline Package (DIP). This SiC module is compactly designed to have a low total module resistance. The NVXK2TR80WDT power module is automotive-qualified per AEC-Q101 and AQG324. This power module is lead-free, ROHS, and UL94V-0 compliant. The NVXK2TR80WDT EliteSiC MOSFET module is ideally used in HV DC-DC and onboard chargers in xEV applications.