Atrodo, kad jūsų naršyklėje išjungtas "JavaScript". Kai kurios šio puslapio funkcijos neveiks, jei neprisijungsite.

SGT3D5R10MEB

Name: STMicroelectronics SGT3D5R10MEB
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SGT3D5R10MEB
Price: 3.2 EUR
Availability: OutOfStock

Vaizdai skirti tik iliustracijai
Žr. produkto specifikacijas

Mouser #:

511-SGT3D5R10MEB

Mfr. #:

SGT3D5R10MEB

Gam.:

STMicroelectronics

Aprašymas:

GaN FET 100 V, 2.9 mOhm typ., 201 A, e-mode PowerGaN transistor

Užbaikite savo projektą

Eksploatacijos Laikotarpis:

Naujas Produktas:

Naujiena iš šio gamintojo.

Duomenų Lapas:

SGT3D5R10MEB Duomenų Lapas (PDF)

ECAD modelis:

Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Daugiau informacijos

Sužinokite daugiau apie STMicroelectronics SGT3D5R10MEB

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produkto Požymis	Atributo vertė	Pasirinkite Požymį
Gamintojas:	STMicroelectronics
Gaminio kategorija:	GaN FET
RoHS:
Montavimo stilius:	SMD/SMT
Pakuotė / Korpusas:	FCLGA-8
Tranzistoriaus poliškumas:	N-Channel
Kanalų skaičius:	1 Channel
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa:	100 V
svar. – nuolatinio išleidimo srovė:	201 A
RDS On - Drain-Source Varža:	3.5 mOhms
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa:	- 4 V to + 6 V
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa:	2.1 V
Qg – vartų krūvis:	6.3 nC
Minimali darbinė temperatūra:	- 40 C
Didžiausia darbinė temperatūra:	+ 150 C
Pd - skaidos galia:	255 W
Kanalas Mode:	Enhancement
Prekės Ženklas:	STMicroelectronics
Configuration:	Single
Rudens laikas:	3.84 ns
Jautrus drėgmei:	Yes
Pakavimas:	Reel
Pakavimas:	Cut Tape
Pakavimas:	MouseReel
Gaminys:	Transistors
Gaminio tipas:	GaN FETs
Kilimo Laikas:	6.08 ns
Gamyklinės pakuotės kiekis:	3000
Subkategorija:	Transistors
Technologijos:	GaN
Tipas:	PowerGaN Transistor
Tipinė išjungimo vėlinimo trukmė:	5.12 ns
Tipinė įjungimo vėlinimo trukmė:	2.56 ns
Tranzistoriaus tipas:	1 N-Channel
Vieneto Svoris:	78 mg

Rasta produktų:

Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį

Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.

Pasirinkti atributai: 0

Filtruoti dokumentą:

Duomenų Lapas

SGT3D5R10MEB Duomenų Lapas (PDF)

Reglamentavimo kodai

USHTS:: 8541600060
ECCN:: EAR99

Klasifikacija pagal kilmę

Kilmės šalis:: Ne
Šalis, kurioje pagaminta:: Ne
Distribucijos šalis:: Ne

Šalis gali keistis siuntimo metu.

ATRINKTI PRODUKTAI

STMICROELECTRONICS

SGT080R70ILB E-Mode PowerGaN Transistor

E-Mode PowerGaN transistor designed for high-efficiency power conversion applications.

Sužinokite Daugiau

SGT070R70HTO E-Mode PowerGaN Transistor

Built on GaN technology and designed for demanding power conversion applications.

Sužinokite Daugiau

SGT350R70GTK E-Mode PowerGaN Transistor

E-Mode PowerGaN transistor optimized for efficient power conversion in demanding applications.

Sužinokite Daugiau

Peržiūrėti visus naujausius produktus nuo STMicroelectronics

Prieinamumas

Turime sandėlyje:: 0

Taip pat galite pirkti šį produktą kaip sandėlyje neesančią prekę.

Įvyko netikėta klaida. Prašome pabandyti vėliau.
Pagal užsakymą:: 500

Tikėtina 2026-08-18
Gamintojo numatytas pristatymo laikas: 24

Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.

Įvesti kiekį:

Min. 1 Užsakoma po 1

Vieneto kaina:

-,-- €

Plėt. Kaina:

-,-- €

Numatomas Įkainis:

Pakuotė:

Visa Ritė (Užsakoma po 3000)

Pjaunama Juosta

"MouseReel"™ (+5,00 €)

Kainodara (EUR)

Qty.	Vieneto kaina	Plėt. Kaina
Nukerpama juosta / „MouseReel™“ ^†
	3,20 €	3,20 €
	2,09 €	20,90 €
	1,52 €	152,00 €
	1,27 €	635,00 €
	1,18 €	1 180,00 €
Visa Ritė (Užsakoma po 3000)
	1,10 €	3 300,00 €
	1,01 €	6 060,00 €

† 5,00 € „MouseReel™“ mokestis bus pridėtas ir apskaičiuotas jūsų pirkinių krepšelyje. Visi „MouseReel™“ užsakymai neatšaukiami ir negrąžinami. ↩

SGT3D5R10MEB

Gam.: STMicroelectronics

Aprašymas: GaN FET 100 V, 2.9 mOhm typ., 201 A, e-mode PowerGaN transistor Užbaikite savo projektą

Specifikacijos

Dokumentai (1)

Duomenų Lapas

Produktų ir prekybos sąlygos

ATRINKTI PRODUKTAI STMICROELECTRONICS

Prieinamumas

Kainodara (EUR)

Greitoji Peržiūra

Įvyko netikėta klaida.

Gam.:

STMicroelectronics

Aprašymas:

GaN FET 100 V, 2.9 mOhm typ., 201 A, e-mode PowerGaN transistor

Užbaikite savo projektą

ATRINKTI PRODUKTAI

STMICROELECTRONICS