CoolSiC™ 750V G1 MOSFETs

Infineon Technologies CoolSiC™ 750V G1 MOSFETs excel in performance, reliability, and robustness. The Infineon Technologies CoolSiC 750V G1 features flexible gate driving for simplified, cost-effective system design. The MOSFETs allow for optimized efficiency and power density.

Tranzistorių tipai
Pakeisti kategorijos rodinį
Rezultatai: 11
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS Gaminio tipas
Technologijos
Montavimo stilius
Pakuotė / Korpusas
Tranzistoriaus poliškumas
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
Duomenų Lapas
230Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
Duomenų Lapas
230Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
Duomenų Lapas
1 063Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 750

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT HDSOP-22 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
Duomenų Lapas
750Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 750

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT HDSOP-22 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
Duomenų Lapas
240Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
Duomenų Lapas
224Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
Duomenų Lapas
188Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
Duomenų Lapas
186Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
Duomenų Lapas
106Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Duomenų Lapas
240Tikėtina 2026-07-02
Min.: 1
Daugkart.: 1

MOSFETs SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 52 Savaičių
Min.: 750
Daugkart.: 750
: 750

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT HDSOP-22 N-Channel