Atrodo, kad jūsų naršyklėje išjungtas "JavaScript". Kai kurios šio puslapio funkcijos neveiks, jei neprisijungsite.

STO33N60M6

Name: STMicroelectronics STO33N60M6
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STO33N60M6
Price: 1.75 EUR
Availability: OutOfStock

Vaizdai skirti tik iliustracijai
Žr. produkto specifikacijas

Mouser #:

511-STO33N60M6

Mfr. #:

STO33N60M6

Gam.:

STMicroelectronics

Aprašymas:

MOSFETs N-channel 600 V, 105 mOhm typ., 25 A MDmesh M6 Power MOSFET

Užbaikite savo projektą

Duomenų Lapas:

STO33N60M6 Duomenų Lapas (PDF)

ECAD modelis:

Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Prieinamumas

Turime sandėlyje:: Ne Sandėlyje Esantys

Įvyko netikėta klaida. Prašome pabandyti vėliau.
Gamintojo numatytas pristatymo laikas: 137 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje.

Pranešama apie ilgą šio gaminio pristatymo laiką.

Įvesti kiekį:

Min. 1800 Užsakoma po 1800

Vieneto kaina:

-,-- €

Plėt. Kaina:

-,-- €

Numatomas Įkainis:

Šis Produktas Siunčiamas NEMOKAMAI

Kainodara (EUR)

Qty.	Vieneto kaina	Plėt. Kaina
Visa Ritė (Užsakoma po 1800)
	1,75 €	3 150,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produkto Požymis	Atributo vertė	Pasirinkite Požymį
Gamintojas:	STMicroelectronics
Gaminio kategorija:	MOSFETs
RoHS:
Technologijos:	Si
Montavimo stilius:	SMD/SMT
Pakuotė / Korpusas:	TO-LL-8
Tranzistoriaus poliškumas:	N-Channel
Kanalų skaičius:	1 Channel
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa:	600 V
svar. – nuolatinio išleidimo srovė:	25 A
RDS On - Drain-Source Varža:	125 mOhms
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa:	- 25 V, 25 V
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa:	4.75 V
Qg – vartų krūvis:	33.4 nC
Minimali darbinė temperatūra:	- 55 C
Didžiausia darbinė temperatūra:	+ 150 C
Pd - skaidos galia:	230 W
Kanalas Mode:	Enhancement
Prekinis pavadinimas:	MDmesh
Pakavimas:	Reel
Prekės Ženklas:	STMicroelectronics
Configuration:	Single
Rudens laikas:	7.5 ns
Gaminio tipas:	MOSFETs
Kilimo Laikas:	33 ns
Serija:	MDmesh M6
Gamyklinės pakuotės kiekis:	1800
Subkategorija:	Transistors
Tipinė išjungimo vėlinimo trukmė:	38.5 ns
Tipinė įjungimo vėlinimo trukmė:	19.5 ns
Tranzistoriaus tipas:	1 N-Channel
Vieneto Svoris:	76 mg

Rasta produktų:

Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį

Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.

Pasirinkti atributai: 0

Filtruoti dokumentą:

Duomenų Lapas

STO33N60M6 Duomenų Lapas (PDF)

PCN

Technical Resources

TO-LL and MDmesh M6 the latest breakthrough in high-level telecom SMPS (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

STO65N60DM6 Power MOSFET

STMicroelectronics STO65N60DM6 Power MOSFET is part of the MDmesh DM6 fast recovery diode series combining very low recovery charge (Q_rr), recovery time (t_rr), and excellent improvement in R_DS(on). The STO65N60DM6 offers excellent switching performance via the extra driving source pin. This performance makes the STM STO65N60DM6 Power MOSFET ideal for the most demanding high-efficiency bridge topologies and ZVS phase-shift converters.

STO67N60x MDmesh Power MOSFETs

STMicroelectronics STO67N60x MDmesh Power MOSFETs are Zener-protected and 100% avalanche-tested N-channel power MOSFETs suited for switching applications. These power MOSFETs feature excellent switching performance, low gate input resistance, and lower R_DS(on) per area compared to the previous generation. The STO67N60DM6 power MOSFET is a fast-recovery body diode and combines a very low recovery charge (Q_rr) and recovery time (t_rr) with the most effective switching behavior. The STMicroelectronics STO67N60M6 power MOSFET is ideal for LLC converters and boost PFC converters.

MDmesh™ M6 MOSFETs

STMicroelectronics MDmesh™ M6 MOSFETs combine a low gate charge (Q_g) with an optimized capacitance profile to target high efficiency on new topologies in power conversion applications. The super-junction MDmesh M6 series offers extremely high-efficiency performance resulting in increased power density and a low gate charge for high frequencies. STMicroelectronics M6 series MOSFETs have a breakdown voltage ranging from 600 to 700V. The MOSFETs are available in a wide range of packaging options, including a TO-Leadless (TO-LL) package solution, allowing efficient thermal management. The devices include a wide range of operating voltages for industrial applications, including chargers, adapters, silver box modules, LED lighting, telecom, server, and solar.