Atrodo, kad jūsų naršyklėje išjungtas "JavaScript". Kai kurios šio puslapio funkcijos neveiks, jei neprisijungsite.

A5G35H110N-3400

Name: NXP A5G35H110N-3400
Brand: NXP Semiconductors
SKU: 771-A5G35H110N-3400
Price: 483.63 EUR
Availability: InStock

Vaizdai skirti tik iliustracijai
Žr. produkto specifikacijas

Mouser #:

771-A5G35H110N-3400

Mfr. #:

A5G35H110N-3400

Gam.:

NXP Semiconductors

Aprašymas:

RD kūrimo priemonės A5G35H110N 3400-3600 MHz Reference Circuit

Daugiau informacijos

Sužinokite daugiau apie NXP Semiconductors A5G35H110N-3400

Prieinamumas: 2

Turime sandėlyje:: 2 Galime išsiųsti iš karto

Įvyko netikėta klaida. Prašome pabandyti vėliau.
Gamintojo numatytas pristatymo laikas: 1 Savaitė Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.

Pranešama apie ilgą šio gaminio pristatymo laiką.

Įvesti kiekį:

Min. 1 Užsakoma po 1

Vieneto kaina:

-,-- €

Plėt. Kaina:

-,-- €

Numatomas Įkainis:

Šis Produktas Siunčiamas NEMOKAMAI

Kainodara (EUR)

Qty.	Vieneto kaina	Plėt. Kaina
	483,63 €	483,63 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produkto Požymis	Atributo vertė	Pasirinkite Požymį
Gamintojas:	NXP
Gaminio kategorija:	RD kūrimo priemonės
RoHS:	N
Gaminys:	Evaluation Boards
Tipas:	RF Transistor
Įrankis skirtas įvertinti:	A5G35H110N
Prekės Ženklas:	NXP Semiconductors
Didžiausia darbinė temperatūra:	+ 150 C
Minimali darbinė temperatūra:	- 55 C
Gaminio tipas:	RF Development Tools
Serija:	A5G35H110N
Gamyklinės pakuotės kiekis:	1
Subkategorija:	Development Tools
Dalies Nr., kitokios klasifikacijos numeriai:	935436625598

Rasta produktų:

Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį

Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.

Pasirinkti atributai: 0

Kad ši funkcija veiktų, reikia įjungti „JavaScript“.

USHTS:: 9030908050
ECCN:: EAR99

A5G35H110N Evaluation Board

NXP Semiconductors A5G35H110N Evaluation Board is used with the A5G35H110N Airfast RF Power GaN Transistor. The board is designed for 32T, 320W radio units (10W avg. at each antenna). Its target band is B42, and it offers 2x more power in the same package as 64T solutions.