SQ4946CEY-T1_GE3

Vishay / Siliconix
78-SQ4946CEY-T1_GE3
SQ4946CEY-T1_GE3

Gam.:

Aprašymas:
MOSFETs DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFE

ECAD modelis:
Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Prieinamumas: 20 910

Turime sandėlyje:
20 910 Galime išsiųsti iš karto
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
3 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.
Min. 1   Užsakoma po 1
Vieneto kaina:
-,-- €
Plėt. Kaina:
-,-- €
Numatomas Įkainis:
Pakuotė:
Visa Ritė (Užsakoma po 2500)

Kainodara (EUR)

Qty. Vieneto kaina
Plėt. Kaina
Nukerpama juosta / „MouseReel™“
1,32 € 1,32 €
0,831 € 8,31 €
0,554 € 55,40 €
0,434 € 217,00 €
0,396 € 396,00 €
Visa Ritė (Užsakoma po 2500)
0,354 € 885,00 €
0,333 € 1 665,00 €
0,324 € 8 100,00 €
† 5,00 € „MouseReel™“ mokestis bus pridėtas ir apskaičiuotas jūsų pirkinių krepšelyje. Visi „MouseReel™“ užsakymai neatšaukiami ir negrąžinami.

Produkto Požymis Atributo vertė Pasirinkite Požymį
Vishay
Gaminio kategorija: MOSFETs
RoHS:  
Si
SMD/SMT
SOIC-8
N-Channel
2 Channel
60 V
7 A
82.9 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
14.3 nC
- 55 C
+ 175 C
4 W
Enhancement
TrenchFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
Prekės Ženklas: Vishay / Siliconix
Rudens laikas: 3 ns
Tiesioginis laidumas - min: 15 S
Gaminio tipas: MOSFETs
Kilimo Laikas: 4 ns
Serija: SQ
Gamyklinės pakuotės kiekis: 2500
Subkategorija: Transistors
Tipinė išjungimo vėlinimo trukmė: 17 ns
Tipinė įjungimo vėlinimo trukmė: 8 ns
Tranzistoriaus tipas: TrenchFET Power MOSFET
Vieneto Svoris: 750 mg
Rasta produktų:
Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį
Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.
Pasirinkti atributai: 0

Kad ši funkcija veiktų, reikia įjungti „JavaScript“.

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

SQ Automotive Power MOSFETs

Vishay / Siliconix SQ Automotive Power MOSFETs are AEC-Q101 qualified and produced using a special process design that is optimized for use in the automotive industry. These SQ MOSFETs feature low ON-resistance N- and P-channel TrenchFET® technologies and low thermal resistance. The SQ MOSFETs are available in various packages for design flexibility. Packages include the TO-252, TO-262, TO-263, PowerPAK® SO-8, PowerPAK 8x8L, PowerPAK SO-8L, D2PAK (TO-263), DPAK, and PowerPAK 1212-8W, as well as several space-saving, small-outline options. A full range of polarity options is also available, including N-channel and P-channel co-packages. Vishay / Siliconix SQ Automotive Power MOSFETs are offered in various polarity options, including N-channel and P-channel co-packages.

48V DC/DC Converters

Vishay 48V DC/DC Converters are used in the products that need to remain 12V battery load while 48V battery is used in the vehicles. These converters can bring down 48V-12V, so the converter is a significant application for future cars. Different topologies are made possible with these devices like multiphase coupled and non-coupled inductors. Vishay offers a broad portfolio of solutions with standard devices like MOSFETs, diodes, resistors, capacitors, inductors, and customized magnetic solutions.

SQ4946CEY Auto Dual N-Channel MOSFET

Vishay / Siliconix SQ4946CEY Auto Dual N-Channel MOSFET offers 60VDS drain-source voltage, ±100nA gate-source leakage, and 865pF maximum input capacitance. This MOSFET features TrenchFET® power and is ideal for automotive applications. Vishay / Siliconix SQ4946CEY Auto Dual N-Channel MOSFET is AEC-Q101 qualified, 100% Rg and UIS tested, RoHS-compliant, and halogen-free.

TrenchFET® MOSFETs

Vishay / Siliconix TrenchFET® MOSFETs feature P- and N-channel silicon technology enabling these devices to provide excellent on-resistance specifications of 1.9mΩ in the PowerPAK® SO-8. Theses MOSFETs have on-resistance as low as half the level of the next best devices on the market. N-Channel MOSFETs offer a 40V to 250V drain-source breakdown voltage range, 375W power dissipation rating, and ThunderFET power depending on the model. The P-Channel MOSFETs feature up to 2 channels, SMD and through-hole mounting, and a 12V to 200V drain-source breakdown voltage range.