1200V Trench XPT™ IGBTs with Sonic Diodes

Littelfuse 1200V Trench XPT™ Insulated-gate Bipolar Transistors (IGBTs) with Sonic Diodes are developed using XPT thin-wafer technology and Trench IGBT processes. The transistors feature reduced thermal resistance and are optimized for low switching loss. Littelfuse 1200V Trench XPT IGBTs with Sonic Diodes offer a high current handling capacity, high power density, and an anti-parallel sonic diode. These Trench XPT transistors are ideal for power inverter, motor drive, power factor correction (PFC) circuit, and battery charger applications.

Diskrečiųjų puslaidininkių tipai
Pakeisti kategorijos rodinį
Rezultatai: 9
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS Gaminio tipas
Technologijos
Montavimo stilius
Pakuotė / Korpusas
IXYS IGBT IXYH30N120C4H1
Duomenų Lapas
8Prieinamumas
300Tikėtina 2026-07-08
Min.: 1
Daugkart.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
IXYS IGBT IXYH55N120C4H1
Duomenų Lapas
384Prieinamumas
630Tikėtina 2026-06-10
Min.: 1
Daugkart.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
IXYS IGBT IXYK85N120C4H1
Duomenų Lapas
977Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-264-3
IXYS IGBT IXYH40N120B4H1
Duomenų Lapas
346Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
IXYS IGBT IXYH40N120C4H1
Duomenų Lapas
363Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
IXYS IGBT IXYH55N120B4H1
Duomenų Lapas
315Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
IXYS Igbt Moduliai IXYN110N120B4H1
Duomenų Lapas
256Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

IGBT Modules Si Screw Mount SOT-227B
IXYS Igbt Moduliai IXYN110N120C4H1
Duomenų Lapas
139Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

IGBT Modules Si Screw Mount SOT-227B
IXYS Igbt Moduliai IXYN85N120C4H1
Duomenų Lapas
367Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

IGBT Modules Si Screw Mount SOT-227B