Atrodo, kad jūsų naršyklėje išjungtas "JavaScript". Kai kurios šio puslapio funkcijos neveiks, jei neprisijungsite.

NXH008T120M3F2PTHG

Name: onsemi NXH008T120M3F2PTHG
Brand: onsemi
SKU: 863-H008T120M3F2PTHG
Price: 146.53 EUR
Availability: InStock

Vaizdai skirti tik iliustracijai
Žr. produkto specifikacijas

Mouser #:

863-H008T120M3F2PTHG

Mfr. #:

NXH008T120M3F2PTHG

Gam.:

onsemi

Aprašymas:

MOSFET moduliai 8M 1200V 40A M3S SIC TNPC MODULE

Duomenų Lapas:

NXH008T120M3F2PTHG Duomenų Lapas

ECAD modelis:

Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Daugiau informacijos

Sužinokite daugiau apie onsemi NXH008T120M3F2PTHG

Prieinamumas: 28

Turime sandėlyje:: 28 Galime išsiųsti iš karto

Įvyko netikėta klaida. Prašome pabandyti vėliau.
Gamintojo numatytas pristatymo laikas: 20 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.

Įvesti kiekį:

Min. 1 Užsakoma po 1

Vieneto kaina:

-,-- €

Plėt. Kaina:

-,-- €

Numatomas Įkainis:

Šis Produktas Siunčiamas NEMOKAMAI

Kainodara (EUR)

Qty.	Vieneto kaina	Plėt. Kaina
	146,53 €	146,53 €
	136,28 €	1 362,80 €
100	Pasiūlymas

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produkto Požymis	Atributo vertė	Pasirinkite Požymį
Gamintojas:	onsemi
Gaminio kategorija:	MOSFET moduliai
RoHS:
Technologijos:	SiC
Montavimo stilius:	Press Fit
Pakuotė / Korpusas:	PIM-29
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa:	1.2 kV
svar. – nuolatinio išleidimo srovė:	129 A
RDS On - Drain-Source Varža:	8.5 mOhms
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa:	- 10 V, + 22 V
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa:	1.8 V
Minimali darbinė temperatūra:	- 40 C
Didžiausia darbinė temperatūra:	+ 150 C
Pd - skaidos galia:	371 W
Serija:	NXH008T120M3F2PTHG
Pakavimas:	Tray
Prekės Ženklas:	onsemi
Rudens laikas:	15 ns
Gaminio tipas:	MOSFET Modules
Kilimo Laikas:	20.6 ns
Gamyklinės pakuotės kiekis:	20
Subkategorija:	Discrete and Power Modules
Tipinė išjungimo vėlinimo trukmė:	137 ns
Tipinė įjungimo vėlinimo trukmė:	41.5 ns
Prekinis pavadinimas:	EliteSiC
Vf - tiesioginė įtampa:	4.8 V

Rasta produktų:

Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį

Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.

Pasirinkti atributai: 0

Filtruoti dokumentą:

Duomenų Lapas

NXH008T120M3F2PTHG Duomenų Lapas

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8504409100
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NXH008T120M3F2PTHG Silicone Carbide (SiC) Module

onsemi NXH008T120M3F2PTHG Silicone Carbide (SiC) Module is a T-type neutral point clamped converter (TNPC) module based on 1200V M3S Planer SiC MOSFETs. NXH008T120M3F2PTHG is optimized for fast-switching applications. Planar technology works reliably with negative gate voltage drive and turn-off spikes on the gate. This module exhibits optimum performance when driven with a 20V gate drive but also works well with an 18V gate drive.

M3S EliteSiC MOSFETs

onsemi M3S EliteSiC MOSFETs are solutions for high-frequency switching applications that employ hard-switched topologies. The onsemi M3S MOSFETs are designed to optimize performance and efficiency. The device has a remarkable ~40% reduction in total switching losses (Etot) compared to the 1200V 20mΩ M1 counterparts. The M3S EliteSiC MOSFETs are perfectly suited for various applications, including solar power systems, onboard chargers, and electric vehicle (EV) charging stations.

Energy Storage Solutions

onsemi Energy Storage Systems (ESS) store electricity from various power sources, like coal, nuclear, wind, and solar, in different forms, including batteries (electrochemical), compressed air (mechanical), and molten salt (thermal). This solution focuses on battery energy storage systems connected to solar inverter systems.