MRFE6VP61K25H RF Power LDMOS Transistor

NXP's MRFE6VP61K25H Wideband RF Power LDMOS Transistor is a high ruggedness device that is designed for use in high VSWR industrial (including laser and plasma exciters), broadcast (analog and digital), aerospace, and radio/land mobile applications. The MRFE6VP61K25H features an unmatched input and output design allowing wide frequency range utilization, between 1.8MHz and 600MHz. This device can be used in either a single-ended or in a push-pull configuration, is suitable for linear application with appropriate biasing, and has integrated ESD protection with greater negative gate-source voltage range for improved Class C operation.

Rezultatai: 3
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr. Gam. Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu. Qty. RoHS ECAD modelis Tranzistoriaus poliškumas Technologijos svar. – nuolatinio išleidimo srovė Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa Darbinis Dažnis Gain Išvesties Galia Didžiausia darbinė temperatūra Montavimo stilius Pakuotė / Korpusas Pakavimas
NXP Semiconductors RD MOSFET tranzistoriai VHV6 1.25KW ISM NI1230H 121Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 50

N-Channel Si 30 A 133 V 1.8 MHz to 600 MHz 24 dB 1.25 kW + 150 C Screw Mount NI-1230H-4 Reel, Cut Tape, MouseReel
NXP Semiconductors RD MOSFET tranzistoriai VHV6 1.25KW ISM NI1230H Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 10 Savaičių
Min.: 150
Daugkart.: 150
Reel: 150

N-Channel Si 30 A 133 V 1.8 MHz to 600 MHz 24 dB 1.25 kW + 150 C Screw Mount NI-1230H-4 Reel
NXP Semiconductors MRFE6VP61K25GSR5
NXP Semiconductors RD MOSFET tranzistoriai VHV6 1.25KW ISM NI1230GS Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 10 Savaičių
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 50

N-Channel Si 30 A 133 V 1.8 MHz to 600 MHz 24 dB 1.25 kW + 150 C Screw Mount NI-1230GS-4 Reel, Cut Tape, MouseReel