Rezultatai: 11
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr. Gam. Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu. Qty. RoHS ECAD modelis Technologijos Montavimo stilius Pakuotė / Korpusas Tranzistoriaus poliškumas Kanalų skaičius Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa svar. – nuolatinio išleidimo srovė RDS On - Drain-Source Varža Vgs - užtūros-šaltinio įtampa Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa Qg – vartų krūvis Minimali darbinė temperatūra Didžiausia darbinė temperatūra Pd - skaidos galia Kanalas Mode Prekinis pavadinimas Pakavimas
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW 1 483Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 1 700

Si SMD/SMT HDSOP-10 N-Channel 1 Channel 600 V 13 A 190 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 18 nC - 55 C + 150 C 76 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW 2 682Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 2 000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 600 V 44 A 50 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 68 nC - 55 C + 150 C 245 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER NEW 1 783Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 2 000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 600 V 23 A 88 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 34 nC - 55 C + 150 C 141 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW 1 354Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 1 700

Si SMD/SMT HDSOP-10 N-Channel 1 Channel 600 V 29 A 80 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 42 nC - 55 C + 150 C 174 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW 2 005Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 2 000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 80 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 42 nC - 55 C + 150 C 167 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER NEW 2 122Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 2 000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 600 V 75 A 28 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 123 nC - 55 C + 150 C 391 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW 1 136Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 1 700

Si SMD/SMT HDSOP-10 N-Channel 1 Channel 600 V 16 A 150 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 23 nC - 55 C + 150 C 95 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW 665Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 1 700

Si SMD/SMT HDSOP-10 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 125 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 27 nC - 55 C + 150 C 120 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW 21Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 1 700

Si SMD/SMT HDSOP-10 N-Channel 1 Channel 600 V 47 A 50 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 68 nC - 55 C + 150 C 278 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER NEW Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 12 Savaičių
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 2 000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 108 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 27 nC - 55 C + 150 C 120 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 19 Savaičių
Min.: 1 700
Daugkart.: 1 700
Reel: 1 700

Si SMD/SMT HDSOP-10 N-Channel 1 Channel 600 V 23 A 102 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 34 nC - 55 C + 150 C 139 W Enhancement Reel