Atrodo, kad jūsų naršyklėje išjungtas "JavaScript". Kai kurios šio puslapio funkcijos neveiks, jei neprisijungsite.

SIA436DJ-T1-GE3

Name: Vishay SIA436DJ-T1-GE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-SIA436DJ-T1-GE3
Price: 0.96 EUR
Availability: InStock

Vaizdai skirti tik iliustracijai
Žr. produkto specifikacijas

Mouser #:

78-SIA436DJ-T1-GE3

Mfr. #:

SIA436DJ-T1-GE3

Gam.:

Vishay Semiconductors

Aprašymas:

MOSFETs 8V Vds 5V Vgs PowerPAK SC-70

Duomenų Lapas:

SIA436DJ-T1-GE3 Duomenų Lapas

ECAD modelis:

Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Daugiau informacijos

Sužinokite daugiau apie Vishay Semiconductors SIA436DJ-T1-GE3

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produkto Požymis	Atributo vertė	Pasirinkite Požymį
Gamintojas:	Vishay
Gaminio kategorija:	MOSFETs
RoHS:
Technologijos:	Si
Montavimo stilius:	SMD/SMT
Pakuotė / Korpusas:	SC-70-6
Tranzistoriaus poliškumas:	N-Channel
Kanalų skaičius:	1 Channel
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa:	8 V
svar. – nuolatinio išleidimo srovė:	12 A
RDS On - Drain-Source Varža:	9.4 mOhms
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa:	- 5 V, 5 V
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa:	350 mV
Qg – vartų krūvis:	15 nC
Minimali darbinė temperatūra:	- 55 C
Didžiausia darbinė temperatūra:	+ 150 C
Pd - skaidos galia:	19 W
Kanalas Mode:	Enhancement
Prekinis pavadinimas:	TrenchFET, PowerPAK
Pakavimas:	Reel
Pakavimas:	Cut Tape
Pakavimas:	MouseReel
Prekės Ženklas:	Vishay Semiconductors
Configuration:	Single
Rudens laikas:	8 ns
Tiesioginis laidumas - min:	70 S
Gaminio tipas:	MOSFETs
Kilimo Laikas:	10 ns
Serija:	SIA
Gamyklinės pakuotės kiekis:	3000
Subkategorija:	Transistors
Tipinė išjungimo vėlinimo trukmė:	30 ns
Tipinė įjungimo vėlinimo trukmė:	11 ns
Tranzistoriaus tipas:	1 N-Channel
Dalies Nr., kitokios klasifikacijos numeriai:	SIA436DJ-GE3
Vieneto Svoris:	1 g

Rasta produktų:

Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį

Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.

Pasirinkti atributai: 0

Filtruoti dokumentą:

Duomenų Lapas

SIA436DJ-T1-GE3 Duomenų Lapas

Models

PCN

Technical Resources

REACH Certificate (PDF)

Reglamentavimo kodai

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Klasifikacija pagal kilmę

Kilmės šalis:: Vokietija
Šalis, kurioje pagaminta:: Vokietija
Distribucijos šalis:: Ne

Šalis gali keistis siuntimo metu.

SIA436DJ N-Channel 8V TrenchFET® MOSFET

Vishay / Siliconix SIA436DJ N-Channel 8V TrenchFET® MOSFET is offered in a compact PowerPAK SC-70 package to save PCB space in portable electronics. This MOSFET comes with on-resistance values that are 18% lower than previous generation solutions and up to 64% lower than the closest competing N-channel device in a 2mm x 2mm footprint area. This ultra-low on-resistance translates into lower conduction losses for reduced power consumption, in addition to a lower voltage drop across the load switch to prevent an unwanted undervoltage lockout. Vishay / Siliconix SiA436DJ on-resistance ratings are down to 1.2V, which simplifies circuit design by allowing the MOSFET to work with the low voltage power rails common in handheld devices, providing longer battery operation between charges.

ATRINKTI PRODUKTAI

VISHAY

SiJK5100E N-Channel MOSFET

TrenchFET^® Gen V power MOSFET with 100V drain-source voltage and 536W maximum power dissipation.

Sužinokite Daugiau

SiEH4800EW 80V TrenchFET® Gen IV N-Channel MOSFET

Comes in a PowerPAK^® 8mm x 8mm BWL package with an on-resistance of 0.00115Ω.

Sužinokite Daugiau

SiJK140E N-Kanalo 40V (D-S) MOSFET

Features TrenchFET^® Gen V power technology ideal for synchronous rectification and automation.

Sužinokite Daugiau

Superjunction MOSFETs in PowerPAK® 10 x 12

Features power technology, optimizes efficiency, and minimizes power loss during conduction.

Sužinokite Daugiau

SiRS5700DP N-Channel 150V (D-S) MOSFET

TrenchFET® Gen V power MOSFET with a very low R_{DS x}Q_g figure-of-merit (FOM).

Sužinokite Daugiau

Prieinamumas: 625

Turime sandėlyje:: 625

Galime išsiųsti iš karto

Įvyko netikėta klaida. Prašome pabandyti vėliau.
Pagal užsakymą:: 33 000

Tikėtina 2027-04-05

99 000

Tikėtina 2028-01-14
Gamintojo numatytas pristatymo laikas: 50

Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.

Pranešama apie ilgą šio gaminio pristatymo laiką.

Įvesti kiekį:

Min. 1 Užsakoma po 1 Maks. 3000

Vieneto kaina:

-,-- €

Plėt. Kaina:

-,-- €

Numatomas Įkainis:

Pakuotė:

Visa Ritė (Užsakoma po 3000)

Pjaunama Juosta

"MouseReel"™ (+5,00 €)

Kainodara (EUR)

Qty.	Vieneto kaina	Plėt. Kaina
Nukerpama juosta / „MouseReel™“ ^†
	0,963 €	0,96 €
	0,593 €	5,93 €
	0,39 €	39,00 €
	0,316 €	158,00 €
	0,277 €	277,00 €
Visa Ritė (Užsakoma po 3000)
	0,237 €	711,00 €

† 5,00 € „MouseReel™“ mokestis bus pridėtas ir apskaičiuotas jūsų pirkinių krepšelyje. Visi „MouseReel™“ užsakymai neatšaukiami ir negrąžinami. ↩

SIA436DJ-T1-GE3

Gam.: Vishay Semiconductors

Aprašymas: MOSFETs 8V Vds 5V Vgs PowerPAK SC-70

Specifikacijos

Dokumentai (10)

Duomenų Lapas

Models

PCN

Technical Resources

Aplinkosaugos dokumentai

Produktų ir prekybos sąlygos

Daugiau informacijos

SIA436DJ N-Channel 8V TrenchFET® MOSFET

Klientai taip pat pirko

ATRINKTI PRODUKTAI VISHAY

Prieinamumas: 625

Kainodara (EUR)

Greitoji Peržiūra

Įvyko netikėta klaida.

Gam.:

Vishay Semiconductors

Aprašymas:

MOSFETs 8V Vds 5V Vgs PowerPAK SC-70

ATRINKTI PRODUKTAI

VISHAY