Atrodo, kad jūsų naršyklėje išjungtas "JavaScript". Kai kurios šio puslapio funkcijos neveiks, jei neprisijungsite.

AFGB30T65RQDN

Name: onsemi AFGB30T65RQDN
Brand: onsemi
SKU: 863-AFGB30T65RQDN
Price: 3.69 EUR
Availability: InStock

Vaizdai skirti tik iliustracijai
Žr. produkto specifikacijas

Mouser #:

863-AFGB30T65RQDN

Mfr. #:

AFGB30T65RQDN

Gam.:

onsemi

Aprašymas:

IGBT IGBT - 650V 30A -Short circuit rated FS4 - Automotive

Eksploatacijos Laikotarpis:

Naujas Produktas:

Naujiena iš šio gamintojo.

Duomenų Lapas:

AFGB30T65RQDN Duomenų Lapas

ECAD modelis:

Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Daugiau informacijos

Sužinokite daugiau apie onsemi AFGB30T65RQDN

Prieinamumas: 560

Turime sandėlyje:: 560 Galime išsiųsti iš karto

Įvyko netikėta klaida. Prašome pabandyti vėliau.
Gamintojo numatytas pristatymo laikas: 17 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.

Įvesti kiekį:

Min. 1 Užsakoma po 1

Vieneto kaina:

-,-- €

Plėt. Kaina:

-,-- €

Numatomas Įkainis:

Kainodara (EUR)

Qty.	Vieneto kaina	Plėt. Kaina
	3,69 €	3,69 €
	2,43 €	24,30 €
	1,81 €	181,00 €
	1,62 €	810,00 €
Visa Ritė (Užsakoma po 800)
	1,43 €	1 144,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produkto Požymis	Atributo vertė	Pasirinkite Požymį
Gamintojas:	onsemi
Gaminio kategorija:	IGBT
RoHS:
Technologijos:	Si
Pakuotė / Korpusas:	D2PAK-3
Montavimo stilius:	SMD/SMT
Configuration:	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:	650 V
Kolektoriaus ir Emiterio Stoties Įtampa:	1.58 V
Didžiausia vartų emiterio įtampa:	20 V, 30 V
Nuolatinė kolektoriaus srovė esant 25 C:	68 A
Pd - skaidos galia:	235.48 W
Minimali darbinė temperatūra:	- 55 C
Didžiausia darbinė temperatūra:	+ 175 C
Serija:	AFGB30T65RQDN
Pakavimas:	Reel
Pakavimas:	Cut Tape
Prekės Ženklas:	onsemi
Gaminio tipas:	IGBTs
Gamyklinės pakuotės kiekis:	800
Subkategorija:	Transistors

Rasta produktų:

Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį

Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.

Pasirinkti atributai: 0

Filtruoti dokumentą:

Duomenų Lapas

AFGB30T65RQDN Duomenų Lapas

PCN

Product Change Notification 2025-12-15 (PDF)

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290095
ECCN:: EAR99

AFGB30T65RQDN IGBT

onsemi AFGB30T65RQDN Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) offers the optimum performance for automotive applications. This IGBT features high current capability, fast switching, high input impedance, and tightened parameter distribution. The AFGB30T65RQDN IGBT is short circuit rated and offers a high figure of merit with low conduction and switching losses. This IGBT is AEC-Q101 qualified, Pb-free, and RoHS compliant. Typical applications include the E-compressor for HEV/EV and the PTC Heater for HEV/EV.