80V N-Channel U-MOS X-H MOSFETs

Toshiba 80V N-Channel U-MOS X-H MOSFETs provide high-speed switching, a small gate charge, and low power dissipation. The U-MOS X-H MOSFETs offer an excellent drain-source on-resistance (RDS(ON)) x transmission resistance x input capacitance (Ciss) value leading to high conductivity and low gate driver losses. The reduced output capacitance (COSS) lowers the output charge (QOSS), increasing the switching efficiency of these devices. These MOSFETs are suitable for switching voltage regulators, motor drivers, and high-efficiency DC-DC converters.

Rezultatai: 11
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Technologijos
Montavimo stilius
Pakuotė / Korpusas
Tranzistoriaus poliškumas
Kanalų skaičius
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa
svar. – nuolatinio išleidimo srovė
RDS On - Drain-Source Varža
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa
Qg – vartų krūvis
Minimali darbinė temperatūra
Didžiausia darbinė temperatūra
Pd - skaidos galia
Kanalas Mode
Pakavimas
Toshiba MOSFETs UMOS10 TO-220AB 80V 2.4mohm
Duomenų Lapas
894Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 80 V 120 A 2.44 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 178 nC + 175 C 300 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFETs UMOS10 DPAK 80V 5.1mohm
Duomenų Lapas
4 465Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-2 (TO-252-2) N-Channel 1 Channel 80 V 84 A 5.1 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 56 nC + 175 C 104 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs UMOS10 TO-220AB 80V 5.3mohm
Duomenų Lapas
5 912Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 80 V 120 A 5.3 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 55 nC + 175 C 150 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFETs UMOS10 TO-220SIS 80V 3.2mohm
Duomenų Lapas
71Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220SIS-3 N-Channel 1 Channel 80 V 92 A 3.2 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 102 nC + 175 C 45 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFETs UMOS10 TO-220SIS 80V 2.4mohm
Duomenų Lapas
7Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220SIS-3 N-Channel 1 Channel 80 V 100 A 2.44 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 179 nC + 175 C 47 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFETs UMOS10 TO-220SIS 80V 5.1mohm
Duomenų Lapas
268Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220SIS-3 N-Channel 1 Channel 80 V 70 A 5.1 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 54 nC + 175 C 45 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFETs UMOS10 TO-220SIS 80V 6.8mohm
Duomenų Lapas
488Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220SIS-3 N-Channel 1 Channel 80 V 58 A 6.8 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 39 nC + 175 C 41 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFETs UMOS10 DPAK 80V 6.9mohm
Duomenų Lapas
129Prieinamumas
10 000Pagal užsakymą
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-2 (TO-252-2) N-Channel 1 Channel 80 V 62 A 6.9 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 39 nC + 175 C 89 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs UMOS10 TO-220AB 80V 7mohm
Duomenų Lapas
435Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 80 V 64 A 7 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 39 nC + 175 C 87 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFETs 100V U-MOS X-H SOP-Advance(N) 3.1mohm
Duomenų Lapas
39Prieinamumas
20 000Pagal užsakymą
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 100 V 120 A 3.1 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 83 nC - 55 C + 175 C 210 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs UMOS10 TO-220AB 80V 3.3mohm
Duomenų Lapas
150Tikėtina 2026-04-17
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 80 V 120 A 3.3 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 110 nC + 175 C 230 W Enhancement Tube