Atrodo, kad jūsų naršyklėje išjungtas "JavaScript". Kai kurios šio puslapio funkcijos neveiks, jei neprisijungsite.

Grįžti į Paieškos Rezultatus

Matote Klaidą?

CGHV38375F

Name: MACOM CGHV38375F
Brand: MACOM
SKU: 941-CGHV38375F
Price: 1021.54 EUR
Availability: InStock

Vaizdai skirti tik iliustracijai
Žr. produkto specifikacijas

Mouser #:

941-CGHV38375F

Mfr. #:

CGHV38375F

Gam.:

MACOM

Aprašymas:

GaN FET Amplifier, 375W, 2.7-3.8GHz, GaN, 50V

Duomenų Lapas:

CGHV38375F Duomenų Lapas (PDF)

ECAD modelis:

Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Daugiau informacijos

Sužinokite daugiau apie MACOM CGHV38375F

Įspėjimas dėl siuntimo:

Norint eksportuoti šį produktą iš Jungtinių Amerikos Valstijų gali prireikti papildomų dokumentų.

Prieinamumas: 5

Turime sandėlyje:: 5 Galime išsiųsti iš karto

Įvyko netikėta klaida. Prašome pabandyti vėliau.
Gamintojo numatytas pristatymo laikas: 26 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.

Įvesti kiekį:

Min. 1 Užsakoma po 1

Vieneto kaina:

-,-- €

Plėt. Kaina:

-,-- €

Numatomas Įkainis:

Šis Produktas Siunčiamas NEMOKAMAI

Kainodara (EUR)

Qty.	Vieneto kaina	Plėt. Kaina
	1 021,54 €	1 021,54 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produkto Požymis	Atributo vertė	Pasirinkite Požymį
Gamintojas:	MACOM
Gaminio kategorija:	GaN FET
Siuntimo apribojimai:	Norint eksportuoti šį produktą iš Jungtinių Amerikos Valstijų gali prireikti papildomų dokumentų.
RoHS:
Montavimo stilius:	Screw Mount
Pakuotė / Korpusas:	440226
Tranzistoriaus poliškumas:	N-Channel
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa:	125 V
svar. – nuolatinio išleidimo srovė:	24 A
Minimali darbinė temperatūra:	- 40 C
Didžiausia darbinė temperatūra:	+ 125 C
Prekės Ženklas:	MACOM
Gain:	11 dB
Didžiausias darbinis dažnis:	3.75 GHz
Minimalus darbinis dažnis:	2.75 GHz
Išvesties Galia:	400 W
Pakavimas:	Tray
Gaminio tipas:	GaN FETs
Gamyklinės pakuotės kiekis:	10
Subkategorija:	Transistors
Technologijos:	GaN
Tranzistoriaus tipas:	HEMT
Vgs - užtūros-šaltinio pramušimo įtampa:	- 10 V, 2 V

Rasta produktų:

Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį

Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.

Pasirinkti atributai: 0

Filtruoti dokumentą:

Duomenų Lapas

CGHV38375F Duomenų Lapas (PDF)

PCN

Kad ši funkcija veiktų, reikia įjungti „JavaScript“.

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900

CGHV38375F 400W IM GaN on SiC Transistor

MACOM CGHV38375F 400W Internally Matched GaN on SiC Transistor (IM-FET) offers 400W HPA matched to 50Ω at both input and output ports. The module operates from 2.75GHz to 3.75GHz, expanding coverage over the entire S-band radar band. MACOM CGHV38375F 400W IM GaN on SiC Transistor is a high-power amplifier supporting a >10dB of significant signal gain and 40% power-added efficiency. The CGHV38375F is ideal as a high-power building block supporting both pulsed and CW radar applications.