eMode GaN lauko tranzistorius (FET)

Nexperia eMode GaN FETs come in a voltage range from 100V to 650V with superior switching performance. These GaN FETs offer fast transition capabilities through their low QC and QOSS values, resulting in excellent power efficiency.

Rezultatai: 12
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Montavimo stilius
Pakuotė / Korpusas
Tranzistoriaus poliškumas
Kanalų skaičius
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa
svar. – nuolatinio išleidimo srovė
RDS On - Drain-Source Varža
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa
Qg – vartų krūvis
Minimali darbinė temperatūra
Didžiausia darbinė temperatūra
Pd - skaidos galia
Kanalas Mode
Nexperia GaN FET GANE140-700BBA/SOT428/DPAK
Duomenų Lapas
1 976Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 2 500

SMD/SMT TO-252-3 P-Channel 1 Channel 700 V 17 A 140 mOhms 7 V 2.5 V 3.5 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement
Nexperia GaN FET GANE350-650FBA/SOT8075/DFN5060
Duomenų Lapas
1 945Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 2 500

SMD/SMT DFN-5 P-Channel 1 Channel 650 V 6 A 350 mOhms 7 V 2.5 V 1.5 nC - 55 C + 150 C 65 W Enhancement
Nexperia GaN FET GANE350-700BBA/SOT428/DPAK
Duomenų Lapas
1 904Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 2 500

SMD/SMT TO-252-3 P-Channel 1 Channel 700 V 6 A 350 mOhms 7 V 2.5 V 1.5 nC - 55 C + 150 C 47 W Enhancement
Nexperia GaN FET GANE190-700BBA/SOT428/DPAK
Duomenų Lapas
1 976Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 2 500

SMD/SMT TO-252-3 P-Channel 1 Channel 700 V 11.5 A 190 mOhms 7 V 2.5 V 2.8 nC - 55 C + 150 C 84 W Enhancement
Nexperia GaN FET GANE240-700BBA/SOT428/DPAK
Duomenų Lapas
2 000Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 2 500

SMD/SMT TO-252-3 P-Channel 1 Channel 700 V 10 A 240 mOhms 7 V 2.5 V 2 nC - 55 C + 150 C 74 W Enhancement
Nexperia GaN FET SOT8074 650V 17A FET
Duomenų Lapas
2 060Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 2 500

SMD/SMT DFN-8080-8 N-Channel 1 Channel 650 V 17 A 140 mOhms 1.2 nC - 55 C + 150 C 113 W Enhancement
Nexperia GaN FET SOT8075 650V 17A FET
Duomenų Lapas
1 728Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 2 500

SMD/SMT DFN-5060-5 N-Channel 1 Channel 650 V 17 A 140 mOhms - 7 V, + 7 V 2.5 V 3.5 nC - 55 C + 150 C 113 W Enhancement
Nexperia GaN FET SOT8072 100V 60A FET
Duomenų Lapas
1 705Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 1 500

SMD/SMT WLCSP-8 N-Channel 1 Channel 100 V 60 A 3.2 mOhms - 6 V, + 6 V 2.5 V 12 nC - 40 C + 150 C 394 W Enhancement
Nexperia GaN FET SOT8073 150V 28A FET
Duomenų Lapas
4 698Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 2 500

SMD/SMT FCLGA-3 N-Channel 1 Channel 150 V 28 A 7 mOhms - 6 V, + 6 V 2.1 V 7.6 nC - 40 C + 150 C 28 W Enhancement
Nexperia GaN FET SOT8074 650V 29A FET
Duomenų Lapas
286Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 2 500

SMD/SMT DFN-8080-8 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 80 mOhms - 7 V, + 7 V 2.5 V 6.2 nC - 55 C + 150 C 188 W Enhancement
Nexperia GaN FET SOT8074 650V 11.5A FET
Duomenų Lapas
720Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 2 500

SMD/SMT DFN-8080-8 N-Channel 1 Channel 650 V 11.5 A 190 mOhms - 7 V, + 7 V 2.5 V 2.8 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement
Nexperia GaN FET SOT8075 650V 11.5A FET
Duomenų Lapas
2 483Tikėtina 2026-03-09
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 2 500

SMD/SMT DFN-5060-5 N-Channel 1 Channel 650 V 11.5 A 190 mOhms - 7 V, + 7 V 2.5 V 2.8 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement