SiC Schottky Barrier Diodes

Toshiba SiC Schottky Barrier Diodes (SBDs) feature high reverse voltage ratings and short reverse recovery time (trr). Toshiba also provides 650V SBDs with a junction barrier Schottky (JBS) structure for low leakage current (Ir) and high surge current capability. These devices improve the efficiency of switched-mode power supplies.

Rezultatai: 24
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Montavimo stilius
Pakuotė / Korpusas
Configuration
Jei – tiesioginė srovė
Vrrm - pasikartojanti atvirkštinė įtampa
Vf - tiesioginė įtampa
Ifsm – tiesioginė viršįtampio srovė
IR - Atvirkštinė Srovė
Minimali darbinė temperatūra
Didžiausia darbinė temperatūra
Pakavimas
Toshiba SiC SCHOTTKY diodai RECT 650V 10A RDL SIC SKY
Duomenų Lapas
97Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-220F-2L Single 10 A 650 V 1.45 V 79 A 500 nA + 175 C Tube
Toshiba SiC SCHOTTKY diodai SCHOTTKY BARRIER DIODE TO-247 V=650 IF=16A
Duomenų Lapas
30Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-3 Dual Anode Common Cathode 16 A 650 V 1.6 V 130 A 400 nA + 175 C Tube
Toshiba SiC SCHOTTKY diodai V=650 IF=8A
Duomenų Lapas
7Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-220-2 Single 8 A 650 V 1.45 V 69 A 400 nA + 175 C Tube

Toshiba SiC SCHOTTKY diodai RECT 1.2KV 18A RDL SIC SKY
Duomenų Lapas
36Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-3 Common Anode 36 A 1.2 kV 1.27 V 820 A 500 nA - 55 C + 175 C Tube
Toshiba SiC SCHOTTKY diodai RECT 1.2KV 61A RDL SIC SKY
Duomenų Lapas
114Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-2 Single 61 A 1.2 kV 1.27 V 1.08 kA 2 uA - 55 C + 175 C Tube
Toshiba SiC SCHOTTKY diodai SiC Schottky barrier diode;TO-247-2L; Vrrm=1200V; IF=40A; PD=454W
Duomenų Lapas
28Prieinamumas
30Tikėtina 2026-05-01
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-2L Single 102 A 1.2 kV 1.27 V 1.91 kA 3.6 uA + 175 C Tube
Toshiba SiC SCHOTTKY diodai RECT 1.2KV 38A RDL SIC SKY
Duomenų Lapas
56Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-2 Single 38 A 1.2 kV 1.27 V 690 A 1 uA - 55 C + 175 C Tube

Toshiba SiC SCHOTTKY diodai RECT 1.2KV 32A RDL SIC SKY
Duomenų Lapas
24Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-3 Common Anode 64 A 1.2 kV 1.27 V 1.38 kA 1 uA - 55 C + 175 C Tube
Toshiba SiC SCHOTTKY diodai RECT 1.2KV 30A RDL SIC SKY
Duomenų Lapas
67Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-2L Single 83 A 1.2 kV 1.27 V 1.63 kA 2.8 uA + 175 C
Toshiba SiC SCHOTTKY diodai RECT 650V 12A RDL SIC SKY
Duomenų Lapas
20Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-220F-2L Single 12 A 650 V 1.45 V 92 A 600 nA + 175 C Tube
Toshiba SiC SCHOTTKY diodai SCHOTTKY BARRIER DIODE TO-247 V=650 IF=12A
Duomenų Lapas
11Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-3 Dual Anode Common Cathode 12 A 650 V 1.6 V 104 A 300 nA + 175 C Tube
Toshiba SiC SCHOTTKY diodai RECT 1.2KV 15A RDL SIC SKY
Duomenų Lapas
15Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-2 Single 50 A 1.2 kV 1.27 V 940 A 1.4 uA - 55 C + 175 C Tube

Toshiba SiC SCHOTTKY diodai RECT 1.2KV 25A RDL SIC SKY
Duomenų Lapas
15Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-3 Common Anode 50 A 1.2 kV 1.27 V 1.06 kA 700 nA - 55 C + 175 C Tube
Toshiba SiC SCHOTTKY diodai RECT 650V 10A RDL SIC SKY
Duomenų Lapas
60Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-3 Dual Anode Common Cathode 20 A 650 V 1.6 V 158 A 500 nA + 175 C Tube
Toshiba SiC SCHOTTKY diodai SCHOTTKY BARRIER DIODE TO-247 V=650 IF=24A
Duomenų Lapas
6Prieinamumas
90Tikėtina 2026-08-10
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-3 Dual Anode Common Cathode 24 A 650 V 1.6 V 184 A 600 nA + 175 C Tube
Toshiba SiC SCHOTTKY diodai RECT 650V 2A RDL SIC SKY
Duomenų Lapas
8Prieinamumas
300Tikėtina 2026-06-15
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-220F-2L Single 2 A 650 V 1.45 V 21 A 200 nA + 175 C Tube
Toshiba SiC SCHOTTKY diodai RECT 650V 4A RDL SIC SKY
Duomenų Lapas
116Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-220F-2L Single 4 A 650 V 1.45 V 37 A 200 nA + 175 C Tube
Toshiba SiC SCHOTTKY diodai RECT 650V 6A RDL SIC SKY
Duomenų Lapas
200Tikėtina 2026-07-17
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-220F-2L Single 6 A 650 V 1.45 V 52 A 300 nA + 175 C Tube
Toshiba SiC SCHOTTKY diodai RECT 650V 10A RDL SIC SKY
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 26 Savaičių
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-220F-2L Single 10 A 650 V 1.45 V 83 A 500 nA + 175 C Tube
Toshiba SiC SCHOTTKY diodai RECT 650V 12A RDL SIC SKY
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 26 Savaičių
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-220F-2L Single 12 A 650 V 1.45 V 97 A 600 nA + 175 C Tube
Toshiba SiC SCHOTTKY diodai RECT 650V 3A RDL SIC SKY
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 26 Savaičių
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-220F-2L Single 3 A 650 V 1.45 V 27 A 200 nA + 175 C Tube
Toshiba SiC SCHOTTKY diodai RECT 650V 4A RDL SIC SKY
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 26 Savaičių
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-220F-2L Single 4 A 650 V 1.45 V 39 A 200 nA + 175 C Tube
Toshiba SiC SCHOTTKY diodai V=650 IF=6A
Duomenų Lapas
Vykdymo Laikas 26 Savaičių
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-220-2 Single 6 A 650 V 1.45 V 55 A 300 nA + 175 C Tube
Toshiba SiC SCHOTTKY diodai RECT 650V 8A RDL SIC SKY
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 26 Savaičių
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-220F-2L Single 8 A 650 V 1.45 V 65 A 400 nA + 175 C Tube