Atrodo, kad jūsų naršyklėje išjungtas "JavaScript". Kai kurios šio puslapio funkcijos neveiks, jei neprisijungsite.

RS6N120BHTB1

Name: ROHM Semiconductor RS6N120BHTB1
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RS6N120BHTB1
Price: 3.14 EUR
Availability: OutOfStock

Vaizdai skirti tik iliustracijai
Žr. produkto specifikacijas

Mouser #:

755-RS6N120BHTB1

Mfr. #:

RS6N120BHTB1

Gam.:

ROHM Semiconductor

Aprašymas:

MOSFETs Nch 80V 135A, HSOP8, Power MOSFET: RS6N120BH is a power MOSFET with low-on resistance and high power package, suitable for switching.

Duomenų Lapas:

RS6N120BHTB1 Duomenų Lapas

ECAD modelis:

Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Daugiau informacijos

Sužinokite daugiau apie ROHM Semiconductor RS6N120BHTB1

Prieinamumas

Turime sandėlyje:: 0

Taip pat galite pirkti šį produktą kaip sandėlyje neesančią prekę.

Įvyko netikėta klaida. Prašome pabandyti vėliau.
Pagal užsakymą:: 2 500

Tikėtina 2026-05-28
Gamintojo numatytas pristatymo laikas: 18

Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.

Įvesti kiekį:

Min. 1 Užsakoma po 1

Vieneto kaina:

-,-- €

Plėt. Kaina:

-,-- €

Numatomas Įkainis:

Kainodara (EUR)

Qty.	Vieneto kaina	Plėt. Kaina
	3,14 €	3,14 €
	2,05 €	20,50 €
	1,60 €	160,00 €
	1,34 €	670,00 €
	1,17 €	1 170,00 €
Visa Ritė (Užsakoma po 2500)
	1,17 €	2 925,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produkto Požymis	Atributo vertė	Pasirinkite Požymį
Gamintojas:	ROHM Semiconductor
Gaminio kategorija:	MOSFETs
RoHS:
Technologijos:	Si
Montavimo stilius:	SMD/SMT
Pakuotė / Korpusas:	HSOP-8
Tranzistoriaus poliškumas:	N-Channel
Kanalų skaičius:	1 Channel
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa:	80 V
svar. – nuolatinio išleidimo srovė:	135 A
RDS On - Drain-Source Varža:	3.3 mOhms
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa:	- 20 V, 20 V
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa:	4 V
Qg – vartų krūvis:	53 nC
Minimali darbinė temperatūra:	- 55 C
Didžiausia darbinė temperatūra:	+ 150 C
Pd - skaidos galia:	104 W
Kanalas Mode:	Enhancement
Pakavimas:	Reel
Pakavimas:	Cut Tape
Prekės Ženklas:	ROHM Semiconductor
Configuration:	Single
Rudens laikas:	35 ns
Tiesioginis laidumas - min:	42 S
Gaminio tipas:	MOSFETs
Kilimo Laikas:	47 ns
Gamyklinės pakuotės kiekis:	2500
Subkategorija:	Transistors
Tipinė išjungimo vėlinimo trukmė:	73 ns
Tipinė įjungimo vėlinimo trukmė:	32 ns
Tranzistoriaus tipas:	1 N-Channel

Rasta produktų:

Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį

Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.

Pasirinkti atributai: 0

Filtruoti dokumentą:

Duomenų Lapas

RS6N120BHTB1 Duomenų Lapas

Specification Sheets

Datasheet - Chinese (English language)

Kad ši funkcija veiktų, reikia įjungti „JavaScript“.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

RS6/RH6 Cu-Clip Package N-Channel Power MOSFETs

ROHM Semiconductor RS6/RH6 Cu-Clip Package N-Channel Power MOSFETs enable high current handling capability with reduced package resistance. The HSOP-8 and HSMT-8 packaged components provide simultaneous low ON-resistance and gate charge capacitance, minimizing energy loss. Operating within a -55°C to +150°C temperature range, these MOSFETs are ideal for drive applications that operate on 24V/36V/48V power supplies.

RS6N120BH N-Channel Power MOSFET

ROHM Semiconductor RS6N120BH N-Channel Power MOSFET is a compact low-loss MOSFET featuring a Cu clip structure contributing to high-efficiency operation. The system increases current capacity while reducing package resistance. This feature makes the RS6N120BH ideal for drive applications that operate on 24V/36V/48V power supplies.