GaN N-Channel FETs

Central Semiconductor GaN N-Channel FETs excel in high voltage and low RDS(ON), making them ideal for efficient soft-switching applications. Central Semiconductor GaN FETs come in 100V (60A), 150V (60A), 650V (11A), 650V (17A), and 700V (18A) versions. The devices are available in practical surface-mount, chip-scale packages, and bare dies. Ideally, these FETs are used in switch-mode power supplies, high-power chargers, and Electric Vehicle (EV) inverters.

Rezultatai: 7
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Montavimo stilius
Pakuotė / Korpusas
Tranzistoriaus poliškumas
Kanalų skaičius
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa
svar. – nuolatinio išleidimo srovė
RDS On - Drain-Source Varža
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa
Qg – vartų krūvis
Minimali darbinė temperatūra
Didžiausia darbinė temperatūra
Pd - skaidos galia
Kanalas Mode
Central Semiconductor GaN FET 650V, 29A, N-Channel Chip, GaN FET, DFN5X6A Package, 13"
Duomenų Lapas
2 483Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 2 500

SMD/SMT DFN-8 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 80 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 6.2 nC - 55 C + 150 C Depletion
Central Semiconductor GaN FET 100A,150V Surface mount N-Channel GaN MOSFET
Duomenų Lapas
2 500Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 2 500

SMD/SMT CSP-25 N-Channel 1 Channel 150 V 100 A 3.9 mOhms - 4 V, + 6 V 2.1 V 20 nC - 40 C + 150 C 200 mW Enhancement
Central Semiconductor GaN FET 150V, 60A, N-Channel Chip, GaN FET, CSP4X6 Package, 7"
Duomenų Lapas
2 493Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 2 500

SMD/SMT CSP-25 N-Channel 1 Channel 150 V 60 A 7 mOhms - 4 V, + 6 V 13 nC - 40 C + 150 C 200 mW
Central Semiconductor GaN FET 700V, 18A, N-Channel Chip, GaN FET, DFN5X6A Package, 13"
Duomenų Lapas
2 468Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 2 500

SMD/SMT DFN-8 N-Channel 1 Channel 700 V 18 A 140 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 3.5 nC - 55 C + 155 C 113 W Depletion
Central Semiconductor GaN FET 100V, 60A, N-Channel Chip Scale GaNFET
Duomenų Lapas
1 369Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 1 500

SMD/SMT CSP-8 N-Channel 1 Channel 100 V 60 A 5.5 mOhms - 4 V, + 6 V 2.5 V 9.2 nC - 40 C + 150 C 1.1 W
Central Semiconductor GaN FET 650V, 11A, N-Channel GaN FET
Duomenų Lapas
2 157Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 2 500

SMD/SMT DFN-8 N-Channel 1 Channel 650 V 11.5 A 190 mOhms - 1.4 V, + 7 V 2.5 V 2.8 nC - 55 C + 150 C 84 W Depletion
Central Semiconductor GaN FET 650V, 17A, N-Channel GaN FET
Duomenų Lapas
2 438Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 2 500

SMD/SMT DFN-8 N-Channel 1 Channel 650 V 17 A 140 mOhms - 1.4 V, + 7 V 2.5 V 3.5 nC - 55 C + 150 C 113 W Depletion