HMC1114 Power Amplifiers

Analog Devices Inc. HMC1114 Power Amplifiers are designed as gallium nitride (GaN) broadband amplifiers. The HMC1114 amplifiers deliver 10W with greater than 50% power added efficiency (PAE) and ±0.5dB typical gain flatness across a 2.7GHz to 3.8GHz bandwidth. The amplifiers can achieve a 41.5dBm PSAT from a 28V at 150mA supply voltage. In addition, the amplifiers offer a typical 35dB signal gain, 25.5dB high-power gain for saturated output power, and a typical 44dBM IP3. Analog Devices Inc. HMC1114 power amplifiers are ideal for pulsed and continuous wave applications. These applications include wireless infrastructure, radars, public mobile radios, and general-purpose amplification.

Rezultatai: 2
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Darbinis Dažnis
Darbinė Maitinimo Įtampa
Darbinė Maitinimo Srovė
Gain
Tipas
Montavimo stilius
Pakuotė / Korpusas
Technologijos
P1dB - suspaudimo taškas
OIP3 – trečiosios eilės perėmimas
Minimali darbinė temperatūra
Didžiausia darbinė temperatūra
Serija
Pakavimas
Analog Devices RF Stiprintuvas GaN Driver Ampllifier
Duomenų Lapas
103Prieinamumas
96Pagal užsakymą
Min.: 1
Daugkart.: 1

2.7 GHz to 3.8 GHz 28 V 150 mA 35 dB Power Amplifiers SMD/SMT LFCSP-32 GaN 41.5 dBm 44 dBm - 40 C + 85 C HMC1114 Cut Tape
Analog Devices RF Stiprintuvas GaN Driver Ampllifier
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 11 Savaičių
Min.: 500
Daugkart.: 500
Reel: 500

2.7 GHz to 3.8 GHz 28 V 150 mA 32 dB Driver Amplifiers SMD/SMT LFCSP-32 GaN - 40 C + 85 C HMC1114 Reel