Rezultatai: 23
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Technologijos
Montavimo stilius
Pakuotė / Korpusas
Tranzistoriaus poliškumas
Kanalų skaičius
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa
svar. – nuolatinio išleidimo srovė
RDS On - Drain-Source Varža
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa
Qg – vartų krūvis
Minimali darbinė temperatūra
Didžiausia darbinė temperatūra
Pd - skaidos galia
Kanalas Mode
Kvalifikacija
Prekinis pavadinimas
Pakavimas
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 600V 31A D2PAK-2 CoolMOS CPA
Duomenų Lapas
3 852Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 1 000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 31 A 90 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 80 nC - 40 C + 150 C 255 W Enhancement AEC-Q100 CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 650V 11.4A D2PAK-2
Duomenų Lapas
2 513Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 1 000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 11.4 A 280 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 41 nC - 40 C + 150 C 104.2 W Enhancement AEC-Q100 CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 600V 31A D2PAK-2 CoolMOS CPA
Duomenų Lapas
506Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 1 000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 31 A 90 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 80 nC - 40 C + 150 C 255 W Enhancement AEC-Q100 CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 650V 31.2A TO247-3
Duomenų Lapas
604Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 31.2 A 99 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 118 nC - 40 C + 150 C 277.8 W Enhancement AEC-Q100 CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 650V 63.3A TO247-3
Duomenų Lapas
205Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 63.3 A 43 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 270 nC - 40 C + 150 C 500 W Enhancement AEC-Q100 CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 650V 63.3A TO247-3
Duomenų Lapas
211Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 63.3 A 43 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 270 nC - 40 C + 150 C 500 W Enhancement AEC-Q100 CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 650V 6A D2PAK-2
Duomenų Lapas
918Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 1 000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 6 A 594 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 20 nC - 40 C + 150 C 62.5 W Enhancement AEC-Q100 CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 650V 99.6A D2PAK-2
Duomenų Lapas
584Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 1 000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 31.2 A 99 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 118 nC - 40 C + 150 C 277.8 W Enhancement AEC-Q100 CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 650V 57.2A D2PAK-2
Duomenų Lapas
1 025Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 1 000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 17.5 A 171 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 68 nC - 40 C + 150 C 151 W Enhancement AEC-Q100 CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 600V 60A TO247-3 CoolMOS CPA
Duomenų Lapas
421Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 60 A 45 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 190 nC - 40 C + 150 C 431 W Enhancement AEC-Q100 CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 650V 43.3A TO247-3
Duomenų Lapas
391Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 43.3 A 72 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 161 nC - 40 C + 150 C 391 W Enhancement AEC-Q100 CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 650V 57.2A D2PAK-2
Duomenų Lapas
68Prieinamumas
1 000Tikėtina 2026-02-16
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 1 000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 17.5 A 171 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 68 nC - 40 C + 150 C 151 W Enhancement AEC-Q100 CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 650V 11.4A D2PAK-2
Duomenų Lapas
30Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 1 000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 11.4 A 280 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 41 nC - 40 C + 150 C 104.2 W Enhancement AEC-Q100 CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
Duomenų Lapas
87Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 31 A 90 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 80 nC - 40 C + 150 C 255 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 650V 22.4A TO247-3
Duomenų Lapas
317Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 22.4 A 150 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 86 nC - 40 C + 150 C 195.3 W Enhancement AEC-Q100 CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
Duomenų Lapas
260Prieinamumas
240Tikėtina 2026-02-16
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 31 A 90 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 80 nC - 40 C + 150 C 255 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 650V 6A DPAK-2
Duomenų Lapas
1 679Prieinamumas
2 500Tikėtina 2026-04-09
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 650 V 6 A 594 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 20 nC - 40 C + 150 C 62.5 W Enhancement AEC-Q100 CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 650V 31.2A TO220-3
Duomenų Lapas
435Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 31.2 A 110 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 118 nC - 40 C + 150 C 277.8 W Enhancement AEC-Q100 CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 650V 43.3A TO247-3
Duomenų Lapas
211Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 43.3 A 72 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 161 nC - 40 C + 150 C 391 W Enhancement AEC-Q100 CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 650V 31.2A TO247-3
Duomenų Lapas
201Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 31.2 A 99 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 118 nC - 40 C + 150 C 277.8 W Enhancement AEC-Q100 CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 650V 99.6A D2PAK-2
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 8 Savaičių
Min.: 1 000
Daugkart.: 1 000
Reel: 1 000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 31.2 A 99 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 118 nC - 40 C + 150 C 277.8 W Enhancement AEC-Q100 CoolMOS Reel
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 650V 6A DPAK-2
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 18 Savaičių
Min.: 2 500
Daugkart.: 2 500
Reel: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 650 V 6 A 594 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 20 nC - 40 C + 150 C 62.5 W Enhancement AEC-Q100 CoolMOS Reel
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 650V 8.7A DPAK-2
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 18 Savaičių
Min.: 2 500
Daugkart.: 2 500
Reel: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 650 V 8.7 A 420 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 32 nC - 55 C + 175 C 83.3 W Enhancement AEC-Q100 CoolMOS Reel