NXH40B120MNQ0SNG

NXH40B120MNQ0 pilnai sukomplektuotas SiC MOSFET modulis

Onsemi NXH40B120MNQ0 visiškai SiC MOSFET modulyje yra dviguba stiprinimo pakopa, kurią sudaro  du 40 m ΩΩ/ 1200 V SiC MOSFET ir du 40 A/1200 V SiC diodai. Integruoti SiC MOSFET ir SiC diodai užtikrina mažesnius laidumo nuostolius ir perjungimo nuostolius, todėl projektuotojai gali pasiekti didelį efektyvumą ir aukštą patikimumą. NXH40B120MNQ0 pilnai sukomplektuotame SiC MOSFET modulyje yra du papildomi 50 A/1200 V apeinamieji išlygintojai, naudojami įjungimo srovės apribojimui, ir įmontuotas termistorius. Šis pilnai sukomplektuotas SiC MOSFET modulis pasižymi mažo grįžtamojo atstatymo ir greito perjungimo SiC diodais, mažo induktyvumo išdėstymu, litavimo kaiščiais ir termistoriumi. NXH40B120MNQ0 pilnai sukomplektuotas SiC MOSFET modulis puikiai tinka saulės energijos keitikliams ir nepertraukiamo maitinimo šaltiniams.