CoolGaN™ 650V G5 Transistors

Infineon Technologies CoolGaN™ 650V G5 Transistors feature highly efficient gallium nitride (GaN) transistor technology for power conversion. The 650V G5 family addresses consumer, data center, industrial, and solar application challenges. The transistors offer improved system efficiency and power density with ultra-fast switching capability. The CoolGaN technology provides discrete and integrated solutions designed to enhance overall system performance. The Infineon Technologies CoolGaN 650V G5 Transistors enable high operating frequencies and reduce EMI ratings. The transistors are ideal for power distribution, switch-mode power supplies (SMPS), telecommunications, and other industrial applications.

Rezultatai: 14
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Montavimo stilius
Pakuotė / Korpusas
Tranzistoriaus poliškumas
Kanalų skaičius
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa
svar. – nuolatinio išleidimo srovė
RDS On - Drain-Source Varža
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa
Qg – vartų krūvis
Minimali darbinė temperatūra
Didžiausia darbinė temperatūra
Pd - skaidos galia
Kanalas Mode
Prekinis pavadinimas
Infineon Technologies GaN FET Two 140 mohm / 650 V GaN transistors in half-bridge configuration
Duomenų Lapas
2 392Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 3 000

SMD/SMT QFN-32 N-Channel 2 Channel 650 V 170 mOhms 1.6 V 1.8 nC - 55 C + 150 C
Infineon Technologies GaN FET CoolGaN Transistor 650 V G5
Duomenų Lapas
2 022Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 3 000

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 22 A 70 mOhms - 10 V 1.6 V 4.7 nC - 55 C + 150 C 111 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies GaN FET CoolGaN Transistor 650 V G5
Duomenų Lapas
2 304Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 3 000

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 18 A 100 mOhms - 10 V 1.6 V 25 nC - 55 C + 150 C 81 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies GaN FET CoolGaN Transistor 650 V G5
Duomenų Lapas
2 388Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 3 000

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 16 A 140 mOhms - 10 V 1.6 V 2.4 nC - 55 C + 150 C 59 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies GaN FET CoolGaN Transistor 650 V G5
Duomenų Lapas
2 263Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 3 000

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 13 A 170 mOhms - 10 V 1.6 V 1.8 nC - 55 C + 150 C 47 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies GaN FET CoolGaN Transistor 650 V G5
Duomenų Lapas
2 535Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 3 000

SMD/SMT PG-LSON-8 HEMT 1 Channel 650 V 20 A 70 mOhms - 10 V 1.2 V 4.7 nC - 55 C + 150 C 91 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies GaN FET CoolGaN Transistor 650 V G5
Duomenų Lapas
2 832Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 3 000

SMD/SMT PG-LSON-8 HEMT 1 Channel 650 V 18 A 100 mOhms - 10 V 1.2 V 3.3 nC - 55 C + 150 C 68 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies GaN FET CoolGaN Transistor 650 V G5
Duomenų Lapas
2 696Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 3 000

SMD/SMT PG-LSON-8 HEMT 1 Channel 650 V 20 A 140 mOhms - 10 V 1.2 V 2.4 nC - 55 C + 150 C 51 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies GaN FET CoolGaN Transistor 650 V G5
Duomenų Lapas
2 797Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 3 000

SMD/SMT PG-LSON-8 HEMT 1 Channel 650 V 12 A 170 mOhms - 10 V 1.2 V 1.8 nC - 55 C + 150 C 42 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies GaN FET CoolGaN Transistor 650 V G5
Duomenų Lapas
1 499Prieinamumas
2 000Tikėtina 2026-04-02
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 2 000

SMD/SMT PG-HSOF-8 HEMT 1 Channel 650 V 70 A 30 mOhms - 10 V 1.6 V 11 nC - 55 C + 150 C 236 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies GaN FET CoolGaN Transistor 650 V G5
Duomenų Lapas
2 000Prieinamumas
2 000Tikėtina 2026-02-16
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 2 000

SMD/SMT PG-HSOF-8 HEMT 1 Channel 650 V 49 A 42 mOhms - 10 V 1.6 V 7.7 nC - 55 C + 150 C 167 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies GaN FET CoolGaN Transistor 650 V G5
Duomenų Lapas
1 872Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 2 000

SMD/SMT PG-HSOF-8 HEMT 1 Channel 650 V 38 A 54 mOhms - 10 V 1.6 V 6 nC - 55 C + 150 C 131 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies GaN FET CoolGaN Transistor 650 V G5
Duomenų Lapas
1 503Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 2 000

SMD/SMT PG-HSOF-8 HEMT 1 Channel 650 V 31 A 66 mOhms - 10 V 1.6 V 4.7 nC - 55 C + 150 C 106 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies GaN FET CoolGaN Transistor 650 V G5
Duomenų Lapas
1 631Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 2 000

SMD/SMT PG-HSOF-8 HEMT 1 Channel 650 V 13 A 170 mOhms - 10 V 1.6 V 1.8 nC - 55 C + 150 C 47 W Enhancement CoolGaN